3月13日消息，三星未能按时发布Exynos 2500，Galaxy S25系列被迫全部搭载高通骁龙8 Elite芯片。据媒体报道，三星已将工作重心转向下一代旗舰平台Exynos 2600，这颗芯片首发三星2nm工艺制程，计划在5月份进入原型量产阶段，Galaxy S26系列将会首发搭载，这是全球首款2nm手机芯片。据爆料，Exynos 2600基于三星SF2工艺制造，这是三星第一代2nm制程，较第二代3GAP 3nm制程，SF2在相同计算频率和复杂度情况下可降低25%功耗，相同功耗和复杂度情况下可提高1
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3 月 11 日消息，据 ZDNet Korea 今日报道，三星电子 11 日的业务报告称，三星电子第四代 4 纳米工艺（SF4X）已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算（HPC）领域，预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。图源：三星电子据了解，与前几代相比，三星的第四代 4 纳米芯片采用了先进的后端连线（BEOL）技术，能够显著提升芯片的整体性能，同时降低制造成本。此外，该芯片还配备了高速晶体管，还支持 2.5D 和 3D 等下一代
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3月10日消息，TrendForce集邦咨询发布的最新研报显示，2024年第四季度，前十大晶圆代工厂合计营收季增近10%，达384.8亿美元，再创新高。报告称，2024年第四季全球晶圆代工产业呈两极化发展，先进制程受惠于AI Server等新兴应用增长，以及新款旗舰级智能手机AP和PC新平台备货周期延续，带动高价晶圆出货增长，抵销成熟制程需求趋缓带来的冲击。其中，受惠于智能手机、HPC新品出货动能延续，台积电营收成长至268.5亿美元，增幅14.1%，以市占率67%稳居龙头。三星排名第二，2024年第四季
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3月10日消息，据报道，三星电子设备解决方案（DS）部门正在加速研发下一代封装材料“玻璃中介层”，旨在替代当前昂贵的硅中介层，并进一步提升芯片性能。这一举措标志着三星在半导体封装技术领域的重大突破。据悉，三星电子近期收到了来自澳大利亚材料供应商Chemtronics和韩国设备制造商Philoptics的共同提案，建议使用康宁玻璃开发玻璃中介层。三星正在评估委托这些公司进行生产的可能性，以加速玻璃中介层的商业化进程。与此同时，三星电子的子公司三星电机也在积极推进玻璃载板（又称玻璃基板）的研发，并计划于202
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● 开发新的 AI 模型以增强 RAN 性能和吞吐量，增加系统容量并降低功耗● 通过此次合作使三星能够在全球范围内部署 AI 优化的 RAN 软件● 本次演示由 AI-RAN 联盟推动，并在 2025 年世界移动通信大会上展示是德科技与三星联合展示基于NVIDIA AI Aerial平台的AI-for-RAN技术是德
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【环球时报综合报道】美国半导体巨头英特尔近日宣布，其斥资280亿美元在俄亥俄州建设的尖端芯片制造基地将延期5年投产。据路透社2月28日报道，英特尔表示，在该州的首座晶圆工厂投产时间将从原计划的2025年推迟至2030年，第二座工厂预计延至2032年投产。英特尔是获得美国《芯片与科学法》最多资金支持的本土芯片企业，美国科技媒体WinBuzzer网站3月1日称，英特尔此前已将该工厂的建设计划由2025年延期至2027年，两次投产延期引发人们对仅靠政府资金能否振兴美国芯片业的担忧。英特尔全球运营执行副总裁钱德拉
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近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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快科技2月27日消息，三星显示今天宣布，将于3月3日开幕的MWC2025上展示下一代智能手机OLED面板，在户外环境下可实现亮度高达5000尼特。即使在观看电影等日常使用环境下，该面板也能提供超过3000尼特的亮度。该面板采用三星显示全球首个商用的“无偏光片显示”技术，即 “OCF (on-cell film)”技术为基础开发而成。而且相同功耗下，这款面板与近期发布的旗舰智能手机OLED面板相比，亮度提升了约1.5倍。三星显示表示，OCF技术不仅提升了户外可视性，还在降低功耗与创新设计方面发挥了关键作用，
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韩国媒体 Thebell 报道，三星开始量产新旗舰移动处理器Exynos
2500，晶圆测试最早3月开始，可能首发三星2025下半年入门级折叠手机Galaxy Z Flip FE。
但3纳米GAA良率低问题仍在，目前无法扩大规模，初期产能只有每月5,000片。三星曾预定2024下半年量产Exynos 2500并搭载Galaxy S25旗舰手机。 但Exynos 2500采第二代3nm
GAA良率低，传闻只有20%，导致Exynos 2500量产延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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三星显示与英特尔合作开发下一代显示解决方案，针对英特尔处理器进行优化三星显示与英特尔已签署一份谅解备忘录，双方将在提供针对英特尔处理器优化的领先显示解决方案方面展开合作。三星显示作为领先的显示制造商之一，已与英特尔签署了一份关于合作开发下一代显示屏的谅解备忘录（MoU）。由于人工智能 PC 的需求激增，两家公司希望携手合作，为市场带来前沿的显示屏，为英特尔处理器提供更好的特性和优化。通过此次合作，两家公司旨在利用三星显示屏中的英特尔处理器，打造高性能的信息技术（IT）设备和人工智能 PC。三星显示执行副总
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据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影
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据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
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美国总统特朗普上任后剑指台积电，除了威胁课关税，还传出要求台积电技术入股或接手英特尔工厂，韩国学者撰文示警，如果台美半导体联盟未来变得更强大，三星代工业务市占率恐受冲击。根据韩媒《中央日报》报导，传出特朗普有意利用台积电，重振陷入困境的英特尔，并确保3纳米以下的先进制程技术发展。 南韩半导体产业协会常务理事安基铉（音译）认为，特朗普此前试图提高关税和重新谈判补贴，可能是该提案的前奏，虽然与英特尔合作，对台积电来说是商业可行性较低的提议，但其要克服美国压力将十分困难。也有观点认为，如果台积电接手英特尔工厂，
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根据市场研究机构Gartner的最新报告，2024年全球半导体收入总额达到了6260亿美元，同比增长18.1%。预计2025年全球半导体市场将继续增长，总收入将进一步增长至7050亿美元。Gartner研究副总裁George Brocklehurst表示：“数据中心应用（服务器和加速卡）中使用的GPU和AI处理器是2024年芯片行业的主要驱动力。由于对AI和生成式AI工作负载的需求日益增长，数据中心在2024年成为了仅次于智能手机的第二大半导体市场，数据中心半导体总收入从2023年的648亿美元增至112
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2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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