三星文章進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)

有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星公布新工藝節(jié)點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒又?，三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計(jì)算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門智能手表市場

三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍(lán)寶石玻璃設(shè)計(jì)及亮眼外型、完善的運(yùn)動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價(jià)格即享眾多優(yōu)異體驗(yàn)。Galaxy Watch FE（藍(lán)牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價(jià)NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費(fèi)者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機(jī)或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗(yàn)。三星電子行動通訊
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降低對臺積電的依賴！高通考慮臺積電三星雙代工模式

6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時(shí)表示，公司正在認(rèn)真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點(diǎn)，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計(jì)劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計(jì)劃。不過高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對中國大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說明，且不清楚官員何時(shí)會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖，增強(qiáng)AI芯片代工競爭力

據(jù)彭博社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖，以增強(qiáng)其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預(yù)測，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶名單將擴(kuò)大五倍，收入將增長九倍。報(bào)道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中，一項(xiàng)重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。據(jù)三星介紹，該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時(shí)還能顯著降低電壓降。三星還強(qiáng)調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝方面的綜合能力。三星認(rèn)為，這將有助于公司贏
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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三星電子宣布其首個(gè)背面供電工藝節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報(bào)道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅(jiān)決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機(jī)品牌市占率預(yù)估：三星50.4%，華為30.8%

2024年折疊手機(jī)出貨量約1,780萬部，占智能手機(jī)市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價(jià)的問題待解決，預(yù)計(jì)至2028年占比才有機(jī)會達(dá)到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機(jī)的先驅(qū)之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機(jī)品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機(jī)的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動了華為2023年其折疊手機(jī)市占率首次突破雙位數(shù)，達(dá)12%。20
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新型存儲技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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華為折疊屏手機(jī)出貨量猛增257%，首登榜首

根據(jù)Counterpoint Research的最新報(bào)告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機(jī)市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個(gè)季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機(jī)的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機(jī)：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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三星預(yù)先起訴Oura，以防范潛在專利糾紛

6月4日消息，據(jù)engadget報(bào)道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個(gè)規(guī)模較小的可穿戴技術(shù)競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動?！癘ura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內(nèi)的其他進(jìn)入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權(quán)，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報(bào)道。“Oura對Galaxy Rin
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三星1nm量產(chǎn)計(jì)劃或?qū)⑻崆爸?026年

據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報(bào)道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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一季度全球可穿戴腕帶設(shè)備蘋果、小米、華為分列前三

Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設(shè)備的出貨量達(dá)4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴(kuò)張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內(nèi)的強(qiáng)勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進(jìn)軍入門級設(shè)備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實(shí)現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]