三星文章進入三星技術(shù)社區(qū)

三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年

據(jù)外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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一季度全球可穿戴腕帶設備蘋果、小米、華為分列前三

Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內(nèi)的強勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
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臺積電領(lǐng)先中國大陸、美國多少？專家爆最短只剩2年

瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術(shù)從2028年起，每年提升生產(chǎn)力至少1%，同時他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術(shù)領(lǐng)先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會中暢談全球經(jīng)濟脈動與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術(shù)屬于輕資本，且目前已經(jīng)有20%的個人計算機開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開始，生成式人工
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星否認HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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李強會見三星李在镕，呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作

當?shù)貢r間5月26日下午，國務院總理李強在首爾出席第九次中日韓領(lǐng)導人會議期間會見韓國三星集團會長李在镕。李強表示，三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個生動縮影。隨著兩國經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn)，合作的前景將越來越廣闊。李強進一步強調(diào)，外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴大對華投資合作，分享更多中國新發(fā)展帶來的新機遇。在會見期間，李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領(lǐng)域的合作。李強表示，希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經(jīng)濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領(lǐng)域深挖合作
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三星集團會長李在镕：堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)

IT之家 5 月 27 日消息，據(jù)新華社報道，當?shù)貢r間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導人會議期間，韓國三星集團會長李在镕表示將“堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報道稱，李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營提供的大力支持，表示三星將堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)，繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱，三星正在提高中國大陸手機產(chǎn)量，將 JDM（共同開發(fā)設計制造）產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬臺提升至 67
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三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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爭奪英偉達訂單？三星或不惜代價確保第二代3納米良率

繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務就是在代工業(yè)務方面搶下GPU大廠英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風險，三星電子迫切尋求機會，為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導，根據(jù)市場人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經(jīng)在內(nèi)部制定「Nemo」計劃，也就是要贏得英偉達3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務。市場人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對英偉達的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過，現(xiàn)階段三星代工部門內(nèi)并未成立專門的組織。事實
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗

全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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三星任命新CEO，隨著AI對內(nèi)存需求的增加，公司希望重新奪回市場份額

三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設備解決方案部負責人。設備解決方案部是三星半導體業(yè)務的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導這一部門。在董事會和股東批準后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執(zhí)行官。三星采用雙CEO系統(tǒng)，一位CEO負責半導體業(yè)務，另一位負責設備體驗（手機、顯示器等）。根據(jù)三星的說法，Jun的主要目標是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強其競爭力?！盝un接替了現(xiàn)任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現(xiàn)在取代Jun擔任未來業(yè)務部的負責人，該部門于2023年成立，旨在
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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OLED中國廠商表現(xiàn)強勁：出貨量前五名獨占四席

2024年第一季度全球OLED面板市場出貨量排名出爐，最新數(shù)據(jù)顯示中國廠商在OLED面板市場的表現(xiàn)令人矚目，前五名中獨占四席。隨著技術(shù)進步和市場需求增加，預計未來中國將繼續(xù)成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，全球智能手機面板市場在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長約24.4%。三星依然以42.4%的市場份額保持全球OLED智能手機面板市場的領(lǐng)頭羊地位，掌握著全球手機近一半市場。三星OLED面板利潤也是行業(yè)最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用，還有iP
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三星HBM3E沒過英偉達驗證，原因與臺積電有關(guān)

存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗證。外媒報導，三星至今未通過英偉達驗證，是卡在臺積電。身為英偉達數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺積電也是英偉達驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數(shù)多少有影響。三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]