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三星電子正開發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”：計劃2027年量產(chǎn)

  • 3月10日消息，據(jù)報道，三星電子設備解決方案（DS）部門正在加速研發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”，旨在替代當前昂貴的硅中介層，并進一步提升芯片性能。這一舉措標志著三星在半導體封裝技術領域的重大突破。據(jù)悉，三星電子近期收到了來自澳大利亞材料供應商Chemtronics和韓國設備制造商Philoptics的共同提案，建議使用康寧玻璃開發(fā)玻璃中介層。三星正在評估委托這些公司進行生產(chǎn)的可能性，以加速玻璃中介層的商業(yè)化進程。與此同時，三星電子的子公司三星電機也在積極推進玻璃載板（又稱玻璃基板）的研發(fā)，并計劃于202
  • 關鍵字： 三星  玻璃中介層  玻璃基板  

英特爾再度推遲280億美元芯片廠建設，恐動搖市場信心

  • 【環(huán)球時報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布，其斥資280億美元在俄亥俄州建設的尖端芯片制造基地將延期5年投產(chǎn)。據(jù)路透社2月28日報道，英特爾表示，在該州的首座晶圓工廠投產(chǎn)時間將從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠預計延至2032年投產(chǎn)。英特爾是獲得美國《芯片與科學法》最多資金支持的本土芯片企業(yè)，美國科技媒體WinBuzzer網(wǎng)站3月1日稱，英特爾此前已將該工廠的建設計劃由2025年延期至2027年，兩次投產(chǎn)延期引發(fā)人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業(yè)的擔憂。英特爾全球運營執(zhí)行副總裁錢德拉
  • 關鍵字： 英特爾  芯片廠  晶圓工廠  臺積電  三星  

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  NAND  混合鍵合  晶棧  Xtacking  閃存  

三星下一代手機OLED面板來了：同功耗亮度提升1.5倍

  • 快科技2月27日消息，三星顯示今天宣布，將于3月3日開幕的MWC2025上展示下一代智能手機OLED面板，在戶外環(huán)境下可實現(xiàn)亮度高達5000尼特。即使在觀看電影等日常使用環(huán)境下，該面板也能提供超過3000尼特的亮度。該面板采用三星顯示全球首個商用的“無偏光片顯示”技術，即 “OCF (on-cell film)”技術為基礎開發(fā)而成。而且相同功耗下，這款面板與近期發(fā)布的旗艦智能手機OLED面板相比，亮度提升了約1.5倍。三星顯示表示，OCF技術不僅提升了戶外可視性，還在降低功耗與創(chuàng)新設計方面發(fā)揮了關鍵作用，
  • 關鍵字： 三星  顯示面板  

三星3納米開始量產(chǎn)Exynos 2500

  • 韓國媒體 Thebell 報道，三星開始量產(chǎn)新旗艦移動處理器Exynos 2500，晶圓測試最早3月開始，可能首發(fā)三星2025下半年入門級折疊手機Galaxy Z Flip FE。 但3納米GAA良率低問題仍在，目前無法擴大規(guī)模，初期產(chǎn)能只有每月5,000片。三星曾預定2024下半年量產(chǎn)Exynos 2500并搭載Galaxy S25旗艦手機。 但Exynos 2500采第二代3nm GAA良率低，傳聞只有20%，導致Exynos 2500量產(chǎn)延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
  • 關鍵字： 三星  3納米  Exynos 2500  

三星顯示與英特爾攜手為智能PC市場

  • 三星顯示與英特爾合作開發(fā)下一代顯示解決方案，針對英特爾處理器進行優(yōu)化三星顯示與英特爾已簽署一份諒解備忘錄，雙方將在提供針對英特爾處理器優(yōu)化的領先顯示解決方案方面展開合作。三星顯示作為領先的顯示制造商之一，已與英特爾簽署了一份關于合作開發(fā)下一代顯示屏的諒解備忘錄（MoU）。由于人工智能 PC 的需求激增，兩家公司希望攜手合作，為市場帶來前沿的顯示屏，為英特爾處理器提供更好的特性和優(yōu)化。通過此次合作，兩家公司旨在利用三星顯示屏中的英特爾處理器，打造高性能的信息技術（IT）設備和人工智能 PC。三星顯示執(zhí)行副總
  • 關鍵字： 三星  英特爾  AIPC  

歷史首次！三星將使用長江存儲專利技術

  • 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經(jīng)過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影
  • 關鍵字： 三星  存儲  長江存儲  

稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

  • 據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  NAND  

救英特爾對臺積電是好事？ 韓媒怕三星更慘

  • 美國總統(tǒng)特朗普上任后劍指臺積電，除了威脅課關稅，還傳出要求臺積電技術入股或接手英特爾工廠，韓國學者撰文示警，如果臺美半導體聯(lián)盟未來變得更強大，三星代工業(yè)務市占率恐受沖擊。根據(jù)韓媒《中央日報》報導，傳出特朗普有意利用臺積電，重振陷入困境的英特爾，并確保3納米以下的先進制程技術發(fā)展。 南韓半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會常務理事安基鉉（音譯）認為，特朗普此前試圖提高關稅和重新談判補貼，可能是該提案的前奏，雖然與英特爾合作，對臺積電來說是商業(yè)可行性較低的提議，但其要克服美國壓力將十分困難。也有觀點認為，如果臺積電接手英特爾工廠，
  • 關鍵字： 英特爾  臺積電  三星  

2024年全球半導體TOP10廠商排名

  • 根據(jù)市場研究機構Gartner的最新報告，2024年全球半導體收入總額達到了6260億美元，同比增長18.1%。預計2025年全球半導體市場將繼續(xù)增長，總收入將進一步增長至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數(shù)據(jù)中心應用（服務器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅動力。由于對AI和生成式AI工作負載的需求日益增長，數(shù)據(jù)中心在2024年成為了僅次于智能手機的第二大半導體市場，數(shù)據(jù)中心半導體總收入從2023年的648億美元增至112
  • 關鍵字： 半導體  三星  英特爾  英偉達  美光  

消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
  • 關鍵字： 三星  芯片  1b DRAM  樣品  英偉達  

三星、SK海力士計劃停用中國EDA軟件！

  • 2月17日消息，據(jù)韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設計自動化（EDA）軟件，以應對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設計并預測結果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
  • 關鍵字： EDA  SK海力士  三星  

晶圓代工2納米之戰(zhàn)，臺積電領先，三星、英特爾能否彎道超車？

  • 21世紀以來，全球晶圓代工市場經(jīng)歷了快速發(fā)展和深刻變革。在這個高度專業(yè)化和技術密集的領域，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等廠商，它們之間的競爭，不僅推動了技術的進步，也塑造了整個產(chǎn)業(yè)的格局。在晶圓代工市場中，目前持續(xù)推進7納米以下先進制程的大廠，全球僅剩下臺積電、三星與英特爾三家廠商。根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季全球晶圓代工市場，臺積電以64.9%的市占率排名第一，而且較第二季的62.3%成長2.6個百分點，顯示其在市場上的領
  • 關鍵字： 晶圓代工  2納米  臺積電  三星  英特爾  

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
  • 關鍵字： NAND  閃存  三星  SK海力士  

受中國訂單激增推動，消息稱三星平澤晶圓代工全速復產(chǎn)

  • 2 月 13 日消息，據(jù)韓國《亞洲日報》今日報道，三星電子晶圓代工（半導體委托生產(chǎn)）業(yè)務部近日解除對生產(chǎn)設備的“停機”狀態(tài)，并計劃最快于今年 6 月起，將位于平澤園區(qū)（P）的晶圓代工生產(chǎn)線運行率提升至最高水平。業(yè)內(nèi)人士透露，此次恢復運行得益于三星電子系統(tǒng) LSI 業(yè)務部智能手機應用處理器（AP）Exynos 相關訂單的增加以及中國加密貨幣“礦機”訂單的擴展，從而帶動整體產(chǎn)能恢復。受去年訂單低迷影響，三星電子晶圓代工業(yè)務部曾為節(jié)約成本而實施“停機”措施，導致平澤園區(qū) P2、P3 工廠約 50% 的 4 納米
  • 關鍵字： 中國訂單  三星  平澤  晶圓代工  
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三星(samsung)介紹

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