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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容

  • 7 月 17 日消息,韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文,爆料稱三星計(jì)劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注:硅電容(Silicon Capacitor)通常采用 3 層結(jié)構(gòu)(金屬 / 絕緣體 / 金屬,MIM),超薄且性狀靠近半導(dǎo)體,能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對(duì)電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點(diǎn),讓其成為集成電路中常用的元件之一:· 首先,硅電容的制造成本較低,可以通過(guò)批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?!?其次,硅電容具有較高的可靠性和長(zhǎng)壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于加工和集成,硅電容的失效率較低
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三星3nm取得突破性進(jìn)展!Exynos 2500樣品已達(dá)3.20GHz

  • 7月14日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3.20GHz的高頻運(yùn)行,這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期,而且比蘋果A15 Bionic更省電,效率表現(xiàn)更為出色。此前,有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過(guò)低的擔(dān)憂一度影響了市場(chǎng)對(duì)Exynos 2500的信心,特別是在Galaxy S25系列手機(jī)的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過(guò)三星在月初的聲明中,對(duì)外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進(jìn)行了否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定,產(chǎn)
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三星宣布獲首個(gè)2nm AI芯片訂單

  • 自三星電子官網(wǎng)獲悉,7月9日,三星電子宣布將向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工藝和先進(jìn)2.5D封裝技術(shù)的Interposer-Cube S(I-Cube S)一站式半導(dǎo)體解決方案。據(jù)介紹,2.5D先進(jìn)封裝I-Cube S技術(shù)是一種異構(gòu)集成封裝技術(shù),通過(guò)將多個(gè)芯片集成在一個(gè)封裝中,從而提高互連速度并縮小封裝尺寸。聲明中稱,Preferred Networks的目標(biāo)是借助三星領(lǐng)先的代工和先進(jìn)的封裝產(chǎn)品,開(kāi)發(fā)強(qiáng)大的AI加速器,以滿足由生成式AI驅(qū)動(dòng)的日益增長(zhǎng)的計(jì)算需求
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三星確認(rèn)今年將推出 AI 升級(jí)版 Bixby,由自研大語(yǔ)言模型提供支持

  • IT之家 7 月 11 日消息,三星確認(rèn) Bixby 將很快獲得人工智能升級(jí)。在 Galaxy Z Flip 6 和 Galaxy Z Fold 6 發(fā)布后,三星移動(dòng)部門 CEO TM Roh 在接受 CNBC 采訪時(shí)表示,公司將在今年晚些時(shí)候發(fā)布升級(jí)版 Bixby,并由三星自家的大語(yǔ)言模型(LLM)提供支持。Roh 表示:“我們將通過(guò)應(yīng)用生成式人工智能技術(shù)來(lái)提升 Bixby 的能力?!睅讉€(gè)月前,三星推出過(guò)名為“Samsung Gauss”的自研 LLM。此前曾有報(bào)道稱三星正在研發(fā)升級(jí)版 Bix
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臺(tái)積電試產(chǎn)2nm制程工藝,三星還追的上嗎?

  • 據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電的2nm制程工藝將開(kāi)始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),生產(chǎn)設(shè)備已進(jìn)駐廠區(qū)并安裝完畢,相較市場(chǎng)普遍預(yù)期的四季度提前了一個(gè)季度。芯片制程工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)之后也還需要一段時(shí)間才會(huì)量產(chǎn)。在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家是多次提到在按計(jì)劃推進(jìn)2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是,臺(tái)積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù),預(yù)計(jì)蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺(tái)積電2nm步入GAA時(shí)代作為3n
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三星3納米良率慘爆一度0%?

  • 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車臺(tái)積電,但結(jié)果始終不如預(yù)期,相較臺(tái)積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單,并反映在財(cái)報(bào)上,三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%,即使高層堅(jiān)稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買賬,直言很多大廠都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料,三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí),良率一度僅有0%,加上知名分析師郭明錤日前撰文表示,高通將成為三星Galaxy S25系列機(jī)型的獨(dú)家SoC供貨商,原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預(yù)期,因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示,三星3納
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三星2納米 獲日AI芯片訂單

  • 三星電子9日宣布獲得日本AI新創(chuàng)公司Preferred Networks訂單,將提供GAA 2納米制程及2.5D I-Cube S封裝技術(shù)的一站式解決方案,協(xié)助Preferred Networks發(fā)展強(qiáng)大的AI加速器,應(yīng)付快速擴(kuò)大的生成式AI運(yùn)算需求。 自從三星率先將GAA晶體管技術(shù)應(yīng)用到3納米制程后,便持續(xù)強(qiáng)化GAA晶體管技術(shù),成功贏得Preferred Networks的GAA 2納米制程訂單。這也是三星首度與日本業(yè)者進(jìn)行大尺寸異質(zhì)整合封裝技術(shù)合作,有助日后進(jìn)一步搶攻先進(jìn)封裝市場(chǎng)。 三星2.5D先進(jìn)封
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠,積極投入高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,市場(chǎng)人士估計(jì),2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片,總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零組件,根據(jù)外媒拆解,英偉達(dá)H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展,進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相繼采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng),而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機(jī)?

  • 內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD),專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控,三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少,因
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三星Q2營(yíng)利暴增15倍 遠(yuǎn)超外界預(yù)期

  • 韓國(guó)三星電子表示,因人工智能AI需求暢旺,內(nèi)存芯片的售價(jià)因此也水漲船高,上季營(yíng)業(yè)利益可望飆升約15倍,比路透社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估,集團(tuán)整體第2季營(yíng)利為10.4兆韓元,約75億美元,年增1,452.2%。同時(shí),營(yíng)收也大增23.3%,達(dá)74兆韓元。不過(guò),三星這次并沒(méi)有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季,是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下?tīng)I(yíng)業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后,全集團(tuán)營(yíng)利再次沖高到10兆韓元以上。另外,三星第2季的營(yíng)利,也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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性能暴增3.7倍!三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000:主頻1.6GHz

  • 7月3日消息,三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì),預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝,搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心,其中大核心的主頻達(dá)到1.6GHz,小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比,W1000在單核性能上實(shí)現(xiàn)了3.4倍的提升,在多核性能上更是達(dá)到了3.
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三星HBM芯片據(jù)稱通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

  • 財(cái)聯(lián)社7月4日電,韓國(guó)媒體NewDaily報(bào)道稱,三星電子的HBM3e芯片通過(guò)了英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試,三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達(dá)一事展開(kāi)談判。
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍,讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī),業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究,尋找合適的解決方案,計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道,Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元,甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元,是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

  • 什么是 GDDR7 內(nèi)存?它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存,例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品,為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí),從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存(用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”)推出以來(lái),這種模式就非常清晰。GDDR(前身為 DDR SGRAM)早在 1998 年就問(wèn)世了,每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái),擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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臺(tái)積電完勝三星!死忠客戶Google轉(zhuǎn)單

  • 三星3納米制程良率不佳,外傳低于20%,導(dǎo)致原有客戶出走,最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片,將改為臺(tái)積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報(bào)導(dǎo),Google Pixel 10系列手機(jī)的Tensor G5處理器(SoC),目前已進(jìn)入 Tape-ou(流片)階段。 Google首款完全自研手機(jī)處理器Tensor G5,前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改,由三星代工生產(chǎn),如今已從過(guò)往三星獨(dú)家代工轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。報(bào)導(dǎo)稱,Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺(tái)積電3納米制程,芯片
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三星(samsung)介紹

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