EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
良率
良率 文章 進(jìn)入良率技術(shù)社區(qū)
華為AI芯片良率驚人突破:生產(chǎn)線已賺錢
- 華為傳有關(guān)鍵性突破! 《金融時(shí)報(bào)》引述知情人士說(shuō)法指出,華為先進(jìn)AI芯片制造良率,已從20%提高到近40%,中國(guó)大陸朝向芯片自主化可望加速。報(bào)導(dǎo)指出,華為最新款升騰910C(Ascend 910C)AI芯片,效率比910B芯片更好。 知情人士透露,910C芯片的良率已提升至接近40%,這代表升騰生產(chǎn)線能夠開始賺錢。華為受美國(guó)制裁,委托中國(guó)大陸中芯國(guó)際,以N+2制程代工生產(chǎn)升騰芯片,該制程不需要極紫外光(EUV)微影技術(shù)就能生產(chǎn)先進(jìn)芯片。根據(jù)了解,華為未來(lái)的目標(biāo),是將升騰芯片良率提高到60%,達(dá)成與業(yè)界生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 華為 AI芯片 良率 升騰910C Ascend 910C
臺(tái)積電2nm良率提高6%:可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
- 臺(tái)積電將于明年下半年開始量產(chǎn)其2nm(N2)制程工藝,目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù),以降低可變性和缺陷密度,從而提高良率。一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露,該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的良率提高了6%,為公司客戶“節(jié)省了數(shù)十億美元”。這位自稱 Kim 博士的臺(tái)積電員工沒(méi)有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測(cè)試芯片或邏輯測(cè)試芯片的良率。需要指出的是,臺(tái)積電在今年1月份才開始提供 2nm 技術(shù)的穿梭測(cè)試晶圓服務(wù),因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實(shí)際芯片原型的良率,所以應(yīng)該是指目前最新的2nm技術(shù)的
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 良率 2nm
三星 Exynos 2600芯片前景堪憂:良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻,有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)
- 11 月 25 日消息,消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文,曝料稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉,三星正減少 2025 年的訂單,因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前援引 DigiTimes 報(bào)道,稱 3nm 工藝上遇到的困境,并沒(méi)有擊垮三星,反而讓三星“越挫越勇”,正積極布局 2nm 芯片,力圖在 2026 年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)反彈。消息稱三星正積極爭(zhēng)取來(lái)自高通和英偉達(dá)的大規(guī)模訂單,目標(biāo)是 2026 年初量產(chǎn)。而在此之前,三星計(jì)劃在 2025
- 關(guān)鍵字: 三星 Exynos 2600 芯片 良率
三星陷入良率困境,晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

- 根據(jù)韓國(guó)三星證券初步的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí),三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單,高通的訂單全給了臺(tái)積電,同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域,臺(tái)積電拿
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm 良率 晶圓 代工 臺(tái)積電
HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn),2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀察

- 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔(dān)憂加劇,而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù),加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng),目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)與Micron(美光)已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品,目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快,有望于今年底完成
- 關(guān)鍵字: HBM3e 12hi 良率 驗(yàn)證 HBM TrendForce
三星3納米良率慘爆一度0%?
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車臺(tái)積電,但結(jié)果始終不如預(yù)期,相較臺(tái)積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單,并反映在財(cái)報(bào)上,三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%,即使高層堅(jiān)稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買賬,直言很多大廠都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料,三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí),良率一度僅有0%,加上知名分析師郭明錤日前撰文表示,高通將成為三星Galaxy S25系列機(jī)型的獨(dú)家SoC供貨商,原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預(yù)期,因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示,三星3納
- 關(guān)鍵字: 三星 3納米 良率
曝三星3nm良率僅20%!但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息,據(jù)媒體報(bào)道,Exynos 2500的良品率目前僅為20%,遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),但三星仍在積極尋求解決方案,以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC,該工藝相較于前代4nm FinFET工藝,在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而,低良品率的問(wèn)題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺(tái),這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對(duì)Exynos 2500寄予厚望,該芯片在性能測(cè)試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm 良率 Exynos 2500
良率不及臺(tái)積電4成!三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗
- 全球半導(dǎo)體大廠韓國(guó)三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程,不過(guò)據(jù)韓媒指出,三星3nm制程目前良率僅有20%,相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%,還不及臺(tái)積電良率的4成,使得三星在爭(zhēng)奪英偉達(dá)(NVIDIA)代工訂單受挫。外媒分析稱,三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力,才有可能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報(bào)導(dǎo)說(shuō),本月初EDA大廠新思科技曾宣布,三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統(tǒng)單芯片(SoC),基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計(jì)定案(tape out)。外界認(rèn)為,該芯
- 關(guān)鍵字: 良率 臺(tái)積電 三星 3nm 英偉達(dá)
拼命追趕還是慘輸臺(tái)積電 三星3納米最新良率曝光
- 臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,也獲得全球大客戶肯定。不過(guò)南韓三星電子仍努力追趕,想要分一杯羹。據(jù)最新爆料,三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍,但仍是落后臺(tái)積電??萍季W(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺(tái)X(前身為推特)的發(fā)文報(bào)導(dǎo),三星的3納米制程良率一開始雖然只有10~20%,但最近已拉升至3倍以上。盡管三星如今3納米制程良率已達(dá)30~60%之間,但Revegnus直言,相較于使用FinFET制程的臺(tái)積電,三星的良率數(shù)據(jù)依然偏低。不過(guò)三星對(duì)于第二代3納米制程寄予厚望,
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 三星 3納米 良率
4~5nm良率逐漸穩(wěn)定,客戶訂單增加?三星回應(yīng)
- 據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道,針對(duì)“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩(wěn)定,客戶訂單正逐漸增加,稼動(dòng)率也相應(yīng)反彈,12英寸稼動(dòng)率回升至九成。”這一市場(chǎng)消息,三星半導(dǎo)體對(duì)其進(jìn)行了回應(yīng)。報(bào)道指出,三星半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人回應(yīng)表示,“暫無(wú)法透露最新良率或者客戶情況。正如我們?cè)?022年4月的財(cái)務(wù)電話會(huì)議上所提及,5nm制程良率自去年年初以來(lái)已穩(wěn)定下來(lái),而4nm制程良率也已得到了提升,自2022年第一季度以來(lái)一直在預(yù)期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩(wěn)定了?!睋?jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道,三星4納米制程良率相較之前
- 關(guān)鍵字: 5nm 良率 晶圓代工 三星
5nm以下工藝良率低 三星:將尋找中國(guó)客戶
- 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子新人聯(lián)合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會(huì)上表態(tài),稱三星今年芯片及零件部門的增長(zhǎng)率有望優(yōu)于全球芯片市場(chǎng)的9%,三星會(huì)設(shè)法提高產(chǎn)能,滿足市場(chǎng)需求。針對(duì)5nm及以下工藝良率偏低的問(wèn)題,Kyung Kye-hyun表示芯片擴(kuò)產(chǎn)需要時(shí)間,但三星已經(jīng)在改善中,他強(qiáng)調(diào)半導(dǎo)體芯片工藝越來(lái)越精密,復(fù)雜度也提高了,5nm以下的芯片工藝正在逼近半導(dǎo)體物理極限。Kyung Kye-hyun稱三星計(jì)劃將生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)最佳化,以改善盈利及供應(yīng),并持續(xù)提升已經(jīng)量產(chǎn)的工藝。此外,Kyun
- 關(guān)鍵字: 5nm 良率 三星
4nm良率僅為三成 三星晶圓代工疑出現(xiàn)“良品率造假”
- 據(jù)媒體報(bào)道稱高通已將3nm AP代工訂單獨(dú)家交給了臺(tái)積電。不僅如此,有業(yè)內(nèi)人士稱,高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺(tái)積電。當(dāng)時(shí)我聽(tīng)到這個(gè)消息一方面為臺(tái)積電感到高興,另一方面心中出現(xiàn)質(zhì)疑:為什么高通沒(méi)有選擇三星?而近期外媒的爆料給出了這個(gè)答案。2月25日,據(jù)韓國(guó)媒體爆料稱,近期三星電子懷疑三星半導(dǎo)體代工廠的產(chǎn)量及良率報(bào)告存在“造假”行為,正計(jì)劃開展一項(xiàng)內(nèi)部調(diào)查。據(jù)悉,三星電子DS部門(三星電子旗下半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部,三星晶圓代工業(yè)務(wù)隸屬于該部門)近期正接受管理咨詢部門就三
- 關(guān)鍵字: 4nm 良率 三星晶圓代工
臺(tái)積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上

- 近日,關(guān)于臺(tái)積電3nm工藝制程有了新消息,據(jù)外媒digitimes最新報(bào)道,半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露,臺(tái)積電3納米良率拉升難度飆升,臺(tái)積電因此多次修正3納米藍(lán)圖。實(shí)際上,隨著晶體管數(shù)量的堆積,內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化,3nm工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升,達(dá)成比較好的量產(chǎn)水平。因此,臺(tái)積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同良率和制程工藝的技術(shù),以滿足不同廠商的性能需求,正如同去年蘋果在A15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致,即能滿足量產(chǎn)需求,還能平攤制造成本,保持利潤(rùn)。此外,還有消息稱臺(tái)積電將在2023年第一季度開
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 良率
良率介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條良率!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)良率的理解,并與今后在此搜索良率的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)良率的理解,并與今后在此搜索良率的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
