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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點

  • 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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三星公布新工藝節(jié)點，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報道，當(dāng)?shù)貢r間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒又?，三星公布了兩個新工藝節(jié)點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門智能手表市場

  • 三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍(lán)寶石玻璃設(shè)計及亮眼外型、完善的運動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍(lán)牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動通訊
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降低對臺積電的依賴！高通考慮臺積電三星雙代工模式

  • 6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示，公司正在認(rèn)真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術(shù)

  • 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖，增強AI芯片代工競爭力

  • 據(jù)彭博社報道，當(dāng)?shù)貢r間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖，以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預(yù)測，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍。報道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中，一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。據(jù)三星介紹，該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時還能顯著降低電壓降。三星還強調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝方面的綜合能力。三星認(rèn)為，這將有助于公司贏
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

  • 近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機品牌市占率預(yù)估：三星50.4%，華為30.8%

  • 2024年折疊手機出貨量約1,780萬部，占智能手機市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價的問題待解決，預(yù)計至2028年占比才有機會達(dá)到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機的先驅(qū)之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數(shù)，達(dá)12%。20
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新型存儲技術(shù)迎制程突破

  • 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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華為折疊屏手機出貨量猛增257%，首登榜首

  • 根據(jù)Counterpoint Research的最新報告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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三星預(yù)先起訴Oura，以防范潛在專利糾紛

  • 6月4日消息，據(jù)engadget報道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術(shù)競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動。“Oura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內(nèi)的其他進(jìn)入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權(quán)，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報道?！癘ura對Galaxy Rin
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三星(samsung)介紹

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