根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。

報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計(jì)劃于2024年底開(kāi)始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。

不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥俄州工廠量產(chǎn)Intel 20A和18A節(jié)點(diǎn)制程。

此外，臺(tái)積電也正在美國(guó)建設(shè)三座晶圓廠，計(jì)劃2025年上半年投產(chǎn)4納米節(jié)點(diǎn)制程，2028年投產(chǎn)2納米及3納米節(jié)點(diǎn)制程，2030年投產(chǎn)2納米及其以下的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制程。因此，相較來(lái)說(shuō)，三星的進(jìn)度稍有所落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

而根據(jù)在4月份舉行的第一季業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，三星電子表示，我們正準(zhǔn)備根據(jù)客戶訂單分階段啟動(dòng)美國(guó)泰勒市晶圓廠的運(yùn)營(yíng)工作，預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始進(jìn)一步的首次量產(chǎn)。而受惠于泰勒市晶圓廠，三星電子能夠從美國(guó)政府獲得64億美元的補(bǔ)貼，這使得三星預(yù)計(jì)到2030年總投資預(yù)計(jì)將超過(guò)400億美元。因此，對(duì)于泰勒市晶圓廠的制程轉(zhuǎn)變，未來(lái)是否會(huì)影響市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)還需拭目以待。