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稱三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,新一代NAND將采用中國(guó)企業(yè)專利

作者: 時(shí)間:2025-02-25 來(lái)源:SEMI 收藏

據(jù)韓媒報(bào)道,已確認(rèn)從V10(第10代)開(kāi)始,將使用(YMTC)的專利技術(shù),特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D 混合鍵合專利的許可協(xié)議,達(dá)成合作。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202502/467268.htm

據(jù)悉,V10是電子計(jì)劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù),其中最重要的是W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)。

據(jù)了解,是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D 的企業(yè),并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

在創(chuàng)業(yè)初期,通過(guò)與美國(guó)科技公司Xperi簽署許可協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專利。隨后,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在NAND封裝技術(shù)方面建立了相當(dāng)多的自主專利,在相關(guān)技術(shù)上擁有強(qiáng)大的專利積累。



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