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長(zhǎng)江存儲(chǔ)
長(zhǎng)江存儲(chǔ) 文章 進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款PCIe 5.0企業(yè)級(jí)SSD PE511：首次32TB、性能提升100％
- 3月13日消息，除了首款商用級(jí)PCIe 5.0 SSD PC450，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還披露了首款企業(yè)級(jí)PCIe 5.0 SSD，型號(hào)為“PE511”。它采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代晶棧4.0閃存，相比于現(xiàn)有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同時(shí)保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態(tài)在U.2之外，還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整體性能可提升多達(dá)100％，直接翻番，但暫未公開(kāi)具體數(shù)據(jù)。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盤(pán)寫(xiě)入。發(fā)布時(shí)間暫時(shí)不詳，估計(jì)
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十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)
- 近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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歷史首次！三星將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)
- 據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 2月24日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子近期已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了開(kāi)發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專(zhuān)利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開(kāi)始使用該專(zhuān)利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。報(bào)道稱(chēng)，三星之所以選擇向長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專(zhuān)利授權(quán)，主要由于目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過(guò)評(píng)估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開(kāi)始，其已經(jīng)無(wú)法再避免長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利的影
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稱(chēng)三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，新一代NAND將采用中國(guó)企業(yè)專(zhuān)利
- 據(jù)韓媒報(bào)道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開(kāi)始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
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應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠(chǎng)NAND閃存！
- 1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠(chǎng)的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠(chǎng)的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線(xiàn)也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
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美國(guó)國(guó)防部將騰訊、寧德時(shí)代、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等134家中企列入黑名單
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月6日，美國(guó)國(guó)防部通過(guò)《聯(lián)邦公報(bào)》發(fā)布最新版的“中國(guó)涉軍企業(yè)”清單（Communist Chinese military company，“CMC”，根據(jù)美國(guó)法律正式規(guī)定為“第1260H條名單”），將騰訊控股、寧德時(shí)代、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、移遠(yuǎn)通信，以及無(wú)人機(jī)制造商深圳市道通智能航空技術(shù)股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入該清單，完整清單包括134家中企，其中還涵蓋了長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際等眾多中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)。根據(jù)美國(guó)《2024財(cái)年國(guó)防授權(quán)法》的相關(guān)規(guī)定，被列
- 關(guān)鍵字： 美國(guó)清單 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 移遠(yuǎn)通信 道通智能 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 中芯國(guó)際
首款晶棧Xtacking 2.0技術(shù)！
- 12月18日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日推出了PE321固態(tài)硬盤(pán)，憑借其第三代三維閃存技術(shù)，以高達(dá)6.4TB的容量引起了廣泛關(guān)注?，F(xiàn)在這款SSD已經(jīng)來(lái)到我們?cè)u(píng)測(cè)室，下面為大家?guī)?lái)圖賞。PE321是長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術(shù)的PCIe 4.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)。其最大順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到6400MB/s，讀取速度更是高達(dá)6800MB/s，這在處理大容量數(shù)據(jù)時(shí)無(wú)疑是巨大的優(yōu)勢(shì)。隨機(jī)讀寫(xiě)性能方面同樣不俗，在進(jìn)行4K隨機(jī)讀寫(xiě)測(cè)試時(shí)，其寫(xiě)入性能穩(wěn)步達(dá)到650k IOPS，讀取性能為580k IOPS，這使得它
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)之光！長(zhǎng)江存儲(chǔ)：沒(méi)打算上市 更不會(huì)借殼
- 12月9日消息，針對(duì)外界的傳聞，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開(kāi)回應(yīng)稱(chēng)，他們沒(méi)有上市的打算。長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明稱(chēng)，近期多家媒體捏造、散布和傳播長(zhǎng)江存儲(chǔ)“借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí)，我司發(fā)表聲明如下：一、長(zhǎng)江存儲(chǔ)從無(wú)任何“借殼上市”的意愿。 二、長(zhǎng)江存儲(chǔ)與“萬(wàn)潤(rùn)科技”等上市公司無(wú)直接業(yè)務(wù)合作。三、請(qǐng)相關(guān)單位自重并立即停止一切失實(shí)報(bào)道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的權(quán)利。作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)之光，之前有消息稱(chēng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利
- IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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國(guó)產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價(jià)！
- 在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，還是遭到了美國(guó)的制裁，被列入“實(shí)體清單”，幾乎是同一時(shí)間，三星就開(kāi)始漲價(jià)了！DigiTimes報(bào)道稱(chēng)， 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)遭到制裁，部分PC廠(chǎng)商不得不暫停合作，而面對(duì)突然增加的市場(chǎng)需求，三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場(chǎng)，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下，SK
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明
- 10月20日晚，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明，以下為聲明全文：近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個(gè)別媒體通過(guò)多種渠道刊登、散布“工信部與國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體企業(yè)過(guò)去一周召開(kāi)了一系列緊急會(huì)議，尋求評(píng)估拜登政府針對(duì)芯片祭出的限制措施所造成的損害，并承諾對(duì)這個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的支持”的信息，并散布關(guān)于我司參與閉門(mén)會(huì)議的不實(shí)言論。面對(duì)謠言，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一貫堅(jiān)持清者自清。但在目前市場(chǎng)環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢(shì)下，上述用心險(xiǎn)惡的不實(shí)言論不止傷害了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的企業(yè)形象，還將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴(yán)
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拆機(jī)證實(shí)，國(guó)行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī)，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國(guó)廠(chǎng)商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋(píng)果也承認(rèn)正考慮從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu) NAND 芯片，但僅會(huì)用于在中國(guó)銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商。因此，市場(chǎng)觀(guān)察人士認(rèn)為，蘋(píng)果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
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目前已經(jīng)上市 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0 SSD
- 今日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0固態(tài)硬盤(pán) PE310系列，適用于大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景。這個(gè)系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議，而且搭載自家第三代三維閃存芯片，讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合應(yīng)用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K隨機(jī)讀、寫(xiě)穩(wěn)態(tài)性能高達(dá)1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列固態(tài)硬盤(pán)已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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布局企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤(pán)PE310系列
- 長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0固態(tài)硬盤(pán)PE310系列的推出，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要布局，也標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。2022年7月25日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤(pán)PE310系列，正式進(jìn)入高端企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)。該產(chǎn)品是繼消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)器之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列基于晶棧?2.0（Xtacking?2.0）技術(shù)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
- 近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條長(zhǎng)江存儲(chǔ)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的理解，并與今后在此搜索長(zhǎng)江存儲(chǔ)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)欄文章
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