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湖北IC產(chǎn)業(yè)分析：長江存儲“攪動”存儲器產(chǎn)業(yè)
- 湖北，位于長江中游、洞庭湖以北，因為水網(wǎng)縱橫，湖泊密布而被稱為“千湖之省”。如此充沛的生產(chǎn)資源對于每天都需要消耗大量水、電的集成電路產(chǎn)業(yè)而言無疑是一個巨大的優(yōu)勢。 事實上，憑借著天然的地理位置優(yōu)勢，加上政府的大力扶持，湖北近幾年來在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得了不俗的成績。 集成電路產(chǎn)業(yè)鏈雛形形成 自2000年確定發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)以來，經(jīng)過十多年的發(fā)展和布局，目前湖北省已經(jīng)形成了涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、終端應(yīng)用等較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。 據(jù)湖北省經(jīng)信委主任歐
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紫光國芯重大重組：子公司51.04%控股長江存儲
- 4月19日消息，紫光國芯股份有限公司發(fā)布重大資產(chǎn)重組進展公告，本次標的公司為長江存儲科技控股有限責任公司，該公司于2016年12月21日成立，注冊資本 386 億元。公司間接控股股東紫光集團有限公司的控股子公司湖北紫光國器科技控股有限公司持有其 51.04%的股權(quán)，為其控股股東。 紫光國芯(股票代碼：002049)是紫光集團有限公司旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，是目前國內(nèi)最大的集成電路設(shè)計上市公司之一。公司的前身是成立于2001年的晶源電子，是國內(nèi)壓電晶體元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。2015年，在清華控
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高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利! 長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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長江存儲3D閃存各項指標已達預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后
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楊士寧：為何長江存儲決定跨入存儲領(lǐng)域？
- 長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領(lǐng)域?他表示，半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準點出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析，從半導(dǎo)體存儲器技術(shù)分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
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長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標志性進展
- 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。據(jù)長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上介紹，32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標測試，達到預(yù)期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下
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傳紫光挖Mstar創(chuàng)始人楊偉毅任長江存儲CTO
- 據(jù)臺灣媒體報道，近年來在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動作頻頻的大陸紫光集團宣布，總投資300億美元的南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地已于本月12日開工。 據(jù)了解，紫光集團已網(wǎng)羅前晨星創(chuàng)辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司CTO，帶領(lǐng)紫光突破各國技術(shù)防衛(wèi)戰(zhàn)。 大陸媒體報導(dǎo)，紫光南京廠的技術(shù)很有可能部分來自于臺灣。 據(jù)消息來源透露，這個重要人物正是楊偉毅，將讓紫光朝自主研發(fā)3D NAND Flash等先進內(nèi)存發(fā)展。 但未獲本人證實。 根據(jù)紫光集團官網(wǎng)上消息，紫光集團上個月18日與南京簽約，將投資300億美元成立南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基
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正式開工 長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航
- 今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品。 據(jù)悉，此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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