晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
格芯與環(huán)球晶圓達(dá)成12英寸SOI晶圓合作協(xié)議 將用于RF射頻芯片

- 日前Globalfoundries格芯宣布與全球第三大硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄,雙方未來將進(jìn)一步合作,由環(huán)球晶圓為格芯供應(yīng)12英寸的SOI晶圓。環(huán)球晶圓目前已經(jīng)有研發(fā)、生產(chǎn)8英寸SOI晶圓,這次合作為雙方合作開發(fā)、供應(yīng)12英寸SOI晶圓鋪平了道路,格芯有望獲得穩(wěn)定的12英寸SOI晶圓。SOI是什么?它的全稱是Silicon-On-Insulator,也就是絕緣體上硅,在硅晶圓基體與襯底之間加了絕緣層,隔離開來,最早是IBM開發(fā)的,也是IBM的特色工藝技術(shù)之一。SOI的原理很復(fù)雜,大家只要知道SO
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議
- 近日,羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價超過1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
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晶圓為什么是圓形的?

- 那么晶圓為什么是圓形而不是矩形的呢?特別是我們見到的CPU和GPU裸Die都是矩形,如果晶圓不是圓形而是矩形豈不是理論上可以完全無浪費(fèi)的切割成小片,不是更好嗎?這需要從晶圓的制造過程說起。在將二氧化硅礦石與炭混合經(jīng)由加熱發(fā)生氧化還原反應(yīng)之后,就可以得到粗硅了,但是這時候得到的粗硅純度還不能用于制作集成電路。接下來把粗硅經(jīng)鹽酸氯化并經(jīng)蒸餾后則可以進(jìn)一步得到純度更高的多晶硅,再接下來就有一個很重要的獲取單晶材料的晶體生長方法了,它被稱為柴可拉斯基法,是目前主要的獲取單晶材料的晶體生長方法,利用它可以將多晶硅變
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杭州中欣晶圓12英寸半導(dǎo)體硅片正式下線
- 新的一年開啟新的希望,新的起點(diǎn)承載“芯”的夢想。2020年即將到來,又將是半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的一年。在2019年12月30日這個辭舊迎新的日子中,在杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司的12英寸生產(chǎn)車間內(nèi),順利完成了第一枚12英寸半導(dǎo)體硅拋光片的下線。自2018年2月中欣晶圓大硅片項(xiàng)目開工建設(shè)以來,歷時22個月的建設(shè),從8英寸大硅片的量產(chǎn)和項(xiàng)目的竣工儀式,到今天首枚12英寸半導(dǎo)體硅拋光片的順利下線,標(biāo)志著杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司為國內(nèi)半導(dǎo)體大硅片的制造發(fā)展道路迎來了一個新的里程碑,為鏈結(jié)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨出
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杭州中欣12英寸大硅片下線:可年產(chǎn)240萬 填補(bǔ)國內(nèi)空白

- 12月30日,杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司宣布第一枚12英寸半導(dǎo)體硅拋光片順利下線,這是繼8英寸大大硅片之后該公司取得的又一進(jìn)度,將改變國內(nèi)大硅片主要依賴進(jìn)口的局面。生產(chǎn)硅基芯片需要硅晶圓作為原料,俗稱大硅片,來自臺灣、日本、德國、韓國等地的五大公司掌握了全球80%以上的大硅片生產(chǎn),國內(nèi)現(xiàn)在只能滿足4-6英寸的大硅片,8英寸以及高端的12英寸大硅片主要依賴進(jìn)口。大硅片的技術(shù)難度主要在于純度和良率,其中純度要達(dá)到99.999999999%,業(yè)內(nèi)稱之為11個9,純度要求非常高,幾乎不能摻雜一點(diǎn)雜質(zhì),否則就會
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泛林集團(tuán)邊緣良率產(chǎn)品組合推出新功能
- 近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能,以進(jìn)一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率,從而提高客戶的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,制造商希望在晶圓的整個表面搭建集成電路。然而,由于晶圓邊緣的化學(xué)、物理和熱不連續(xù)性都更加難以控制,良率損失的風(fēng)險也隨之增加。因此,控制刻蝕的不均勻度以及避免晶圓邊緣缺陷是降低半導(dǎo)體器件制造成本的關(guān)鍵所在。泛林集團(tuán)的Corvus刻蝕系統(tǒng)和Coronus等離子斜面清潔系統(tǒng)有效地解決了大規(guī)模生產(chǎn)中的邊緣良率問題。這些解決方案被應(yīng)用于尖端節(jié)點(diǎn)的制造
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三星內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備污染發(fā)生在器興工廠 專家:損失遠(yuǎn)超10億韓元

- 關(guān)于三星內(nèi)存工廠設(shè)備污染一事,更多的細(xì)節(jié)浮出水面。時間節(jié)點(diǎn)目前有兩種說法,上上周和數(shù)周前,地點(diǎn)據(jù)韓媒披露位于三星器興(Giheung)工廠,事發(fā)原因是8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備受到污染。三星發(fā)言人已經(jīng)對外確認(rèn)傳言為真,但強(qiáng)調(diào)目前生產(chǎn)狀況正常,此次意外的損失預(yù)計在10億韓元左右(約合601萬元人民幣)。不過,一些專家稱,三星的實(shí)際損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這個數(shù)字,而且官方并未統(tǒng)計出來。事實(shí)上,今年初,三星的第一代1x nm內(nèi)存也被在工廠階段查出質(zhì)量問題。外界一方面擔(dān)心三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù),另外猜測此次意外會否干擾到內(nèi)存的價格走向。資
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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