英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
IT之家 7 月 30 日消息,《電子時報》昨日報道稱,臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。對此,臺積電海外營運資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示,仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性,目前采用時間未定?!?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機,圖源:ASML上個月,ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機,價值達 3.8
6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機,同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機,預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33,對應產品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm,再往后就得加入多重曝光,預計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
據市場消息,目前,ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺,如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求,為此ASML布局步伐又邁一步。當地時間6月3日,全球最大的半導體設備制造商阿斯麥(ASML)宣布,攜手比利時微電子研究中心(IMEC),在荷蘭費爾德霍芬(Veldhoven)開設聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室(High NA EUV Lithography Lab),并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素:High NA EUV技術據業(yè)界信息,High NA EUV技術是
5月26日,臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品,包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來