high na euv 文章 進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)
韓國總統(tǒng)到訪之際，ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議
- 周二，荷蘭科技巨頭ASML和三星（Samsung）簽署了一項價值約7億歐元的協(xié)議，將在韓國建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時，韓國總統(tǒng)尹錫悅（Yoon Suk Yeol）結(jié)束了這次以科技為重點的訪問的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無塵室”的外國領(lǐng)導(dǎo)人，這次到訪荷蘭的目的是在這兩個全球半導(dǎo)體大國之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施，該公司制造先進(jìn)的機器來制造半導(dǎo)體芯片，為從智能手機到汽車的一切提供動力。ASML和三星后來同意“未來共同”投資該設(shè)施，該設(shè)施將“使用下一代EUV（極紫
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數(shù)”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設(shè)備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁，上一次退
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納米壓?。阂粋€「備胎」走向「臺前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對于 2004 年就開始探索納米壓印技術(shù)的佳能來說，新設(shè)備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個設(shè)備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點。佳能表示當(dāng)天開始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」，納米壓印設(shè)備的到來，讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機嗎？納米壓印走向臺前想要
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EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個缺點
- 光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語，要先說明納米是什么意
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英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)
- 近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點，Intel 4與先前的節(jié)點相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動著算力需求最高的應(yīng)用，如AI、先進(jìn)移動網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和I
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俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時間
- 俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機，還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導(dǎo)，圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復(fù)合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問題?？茖W(xué)家表示，這款芯片制造設(shè)備成本為500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知
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Intel 4技術(shù)在愛爾蘭大批量生產(chǎn)，點燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力
- DIGITAL-得益于ASML的芯片機，英特爾在愛爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾，在愛爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動整個歐洲大陸的尖端價值鏈。英特爾對可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動計
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在人工智能半導(dǎo)體市場不斷增長的情況下，美國加強了對芯片出口的控制
- 美國政府計劃修改對半導(dǎo)體技術(shù)對中國的出口限制。此舉旨在加強對芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致，將限制使用光刻設(shè)備等芯片制造工具，并旨在彌補人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實施出口限制近一年后才開始的。一些報告顯示，美國商務(wù)部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱，美國提前向中國表明了即將改變限制措施，以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強對芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對出口限
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用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導(dǎo)體工藝
- 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強半導(dǎo)體技術(shù)的重要基石。
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臺積電美國亞利桑那工廠導(dǎo)入首臺 EUV 設(shè)備，預(yù)計 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片
- IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來在最新的季度報告中稱，其虧損有所縮小，并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來在本季度沒有報告任何收入?？傔\營費用從 1.375 億美元降至 4,940 萬美元，主要是由于研發(fā)和管理費用的減少。法拉第未來在給投資者的信中表示，公司計劃在未來幾個月內(nèi)將其制造團(tuán)隊擴(kuò)大兩倍
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場
- 據(jù)日本媒體報導(dǎo)，光刻機設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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與EUV相比，這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>
- 對于半導(dǎo)體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)揮著基礎(chǔ)性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設(shè)計好的圖形從掩模版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術(shù)。光刻技術(shù)最先應(yīng)用于印刷工業(yè)，之后長期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的興起，光刻技術(shù)開始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過程中最基礎(chǔ)，也是最重要的技術(shù)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段，接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、分步（重復(fù)）投影光刻出現(xiàn)時間較早，集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒式掃描光刻
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