除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。
關鍵字：
三星電子 EUV
據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經利用ASML高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
關鍵字：
英特爾 ASML High-NA EUV
據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
關鍵字：
英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產
關鍵字：
英特爾 High-NA EUV
《科創(chuàng)板日報》25日訊，英特爾周一表示，去年率業(yè)界之先接收的兩臺ASML高數值孔徑極紫外光EUV已投入生產。英特爾資深總工程師卡森表示，ASML這兩臺尖端機器已生產了3萬片晶圓。
關鍵字：
英特爾 ASML EUV
最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）宣布開發(fā)出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現在行業(yè)內的標準 CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而生產出更小、更強大、制造速度更快、同時耗電量更少的芯片。簡而言之，美國開發(fā)的新一代 BAT 激光器，遠超現在的 EUV 光刻，能夠將效率提升 10 倍。EUV 光刻有多強？目前來看，沒有 EUV 光刻，業(yè)界就無法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機也是歷史上最復雜、最
關鍵字：
EUV
9 月，佳能推出了這項技術的第一個商業(yè)版本，有朝一日可能會顛覆最先進的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻 （NIL），能夠對小至 14 納米的電路特征進行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統(tǒng)提供的優(yōu)勢可能會挑戰(zhàn)價值 1.5 億美元的機器，這些機器在當今先進的芯片制造中占據主導地位，即極紫外 （EUV） 光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機器最終將以極低的成本提供 EUV 質量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統(tǒng)完全不同，后者完全由總部位于荷
關鍵字：
納米壓印光刻技術 EUV? 佳能 新芯片制造系統(tǒng)
荷蘭芯片設備制造巨擘ASML執(zhí)行長?？耍–hristophe Fouquet）表示，盡管中國大陸企業(yè)如中芯國際近年來在半導體領域有顯著進展，但由于無法取得最先進的極紫外光微影設備（EUV），芯片制程技術仍落后臺積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報導，?？私邮芎商m《鹿特丹商報》（NRC）采訪時指出，中芯國際和華為僅使用深紫外光曝光設備（DUV），在成本效益上無法與臺積電的制程技術相提并論。他認為，美國政府祭出的禁止EUV出口中國大陸禁令確實有效，讓中國落后西方約15 年
關鍵字：
EUV DUV ASML
阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實現凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預計，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說明，數字均以百萬歐元
關鍵字：
ASML EUV 光刻機
IT之家 9 月 3 日消息，日經報道稱，英特爾將與日本產業(yè)技術綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內建成，配備極紫外線光刻（EUV）設備。▲ 圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢獲悉，產業(yè)技術綜合研究所隸屬經濟產業(yè)省，是日本一家設法使用集成科學和工程知識來解決日本社會和經濟發(fā)展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個新設計的法律機構。
關鍵字：
英特爾 AIST 芯片 EUV
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
關鍵字：
imec High-NA EUV DRAM
日本沖繩科學技術大學院大學設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業(yè)的標準界限。
關鍵字：
EUV
荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據《Tom's Hardware》報導，日本科學家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產成本。報導指出，沖繩科學技術學院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設備大規(guī)模量產，可能重塑芯片制造設備產業(yè)的現況。值得關注的是，新系統(tǒng)在光學投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
關鍵字：
臺積電 EUV ASML
8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
關鍵字：
Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。對此，臺積電海外營運資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
關鍵字：
臺積電 ASML 光刻機 EUV
euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473