11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術，并計劃將新型芯片制造設備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領域取得進展。納米壓印技術是極紫外光刻（EUV）技術的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術將為小型芯片制造商生產先進芯片開辟出一條道路。“這款產品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
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佳能 納米 壓印技術 阿斯麥 EUV 光刻機
佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導體制造設備。對于 2004 年就開始探索納米壓印技術的佳能來說，新設備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個設備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當于生產目前最先進的邏輯半導體所需的 5 納米節(jié)點。佳能表示當天開始接受訂單，目前已經向東芝供貨。半導體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」，納米壓印設備的到來，讓期盼已久的半導體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術？這種技術距離真的能夠取代光刻機嗎？納米壓印走向臺前想要
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納米壓印 EUV 光刻機
光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應；再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。想要了解光刻技術對半導體供需穩(wěn)定將會產生什么樣的影響，首先要了解的是大家經常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語，要先說明納米是什么意
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EUV
近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產的制程節(jié)點，Intel 4與先前的節(jié)點相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅動著算力需求最高的應用，如AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用。英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前，Intel 7和I
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英特爾 EUV Intel4
俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進半導體設備獨占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語，將于2028年研發(fā)出可生產7納米芯片的曝光機，還可擊敗ASML同類產品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導，圣彼得堡理工大學研發(fā)出一種「國產曝光復合體」，可用于蝕刻生產無掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。科學家表示，這款芯片制造設備成本為500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知
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俄羅斯 7納米 EUV
DIGITAL-得益于ASML的芯片機，英特爾在愛爾蘭的尖端技術生產點燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術領域掀起了波瀾，在愛爾蘭推出了英特爾4技術的大批量生產，引發(fā)了一場歐洲革命。這標志著極紫外光刻機（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產。此舉鞏固了英特爾對快節(jié)奏生產戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動整個歐洲大陸的尖端價值鏈。英特爾對可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動計
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英特爾，EUV，ASML
美國政府計劃修改對半導體技術對中國的出口限制。此舉旨在加強對芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致，將限制使用光刻設備等芯片制造工具，并旨在彌補人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實施出口限制近一年后才開始的。一些報告顯示，美國商務部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱，美國提前向中國表明了即將改變限制措施，以避免華盛頓和北京之間關系的任何潛在關系。?加強對芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對出口限
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AI DUV EUV
新型極紫外光刻膠材料是不斷增強半導體技術的重要基石。
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EUV
ASML 即將推出 NA 為 0.55，分辨率達到 8nm 的 EUV 設備。
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ASML EUV 臺積電
IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來在最新的季度報告中稱，其虧損有所縮小，并表示已經進入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來在本季度沒有報告任何收入。總運營費用從 1.375 億美元降至 4,940 萬美元，主要是由于研發(fā)和管理費用的減少。法拉第未來在給投資者的信中表示，公司計劃在未來幾個月內將其制造團隊擴大兩倍
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臺積電 EUV
據(jù)日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
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ASML NA EUV 光刻設備
對于半導體行業(yè)而言，光刻技術和設備發(fā)揮著基礎性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設計好的圖形從掩模版轉印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術。光刻技術最先應用于印刷工業(yè)，之后長期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導體技術的興起，光刻技術開始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過程中最基礎，也是最重要的技術。在半導體產業(yè)發(fā)展史上，光刻技術的發(fā)展經歷了多個階段，接觸/接近式光刻、光學投影光刻、分步（重復）投影光刻出現(xiàn)時間較早，集成電路生產主要采用掃描式光刻、浸沒式掃描光刻
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EUV 光刻技術
6月7日消息，英特爾今年下半年將會推出14代酷睿Meteor Lake處理器，首發(fā)Intel 4工藝，這是該公司首款EUV工藝，而且還會用上全新3D封裝工藝，處理器變化非常大。在迎接4nm EUV的同時，英特爾也在加快清理遺產，2020年發(fā)布的11代酷睿Tiger Lake處理器現(xiàn)在也進入了退役階段，這一批主要是中低端的酷睿i7/i5/i3及賽揚系列，包括U系列及H35系列，最高端的就是酷睿i7-1165G7。與之一同退役的還有配套的500系芯片組，包括RM590E，HM570E和QM580E系列。這些產
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EUV 英特爾 酷睿
IT之家 5 月 26 日消息，據(jù)韓媒 Aju News 報道，三星計劃自 2023 年第三季度開始，對韓國華城園區(qū) S3 工廠減少至少 10% 的晶圓投片量?！?圖源：三星報道稱，三星半導體將在第三季度開始，對華城園區(qū) S3 工廠進行減產作業(yè)。S3 工廠是三星半導體于 2018 年建成投產的 12 英寸生產線，目前主要生產 10nm 至 7nm 產品，也是三星半導體 EUV 先進工藝的主力生產廠之一，三星為其部署了多臺 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻機。Aju News
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三星 EUV
5月17日消息，原本已經落后的日本半導體制造行業(yè)近年來加快了追趕速度，去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus，計劃2025年試產2nm工藝，而且很快就籌備了EUV光刻機。日本當前的邏輯工藝還在28nm以上，但是Rapidus公司選擇跳過中間的工藝，直接搞2nm工藝，而5nm以下的工藝都離不開EUV光刻機，不論研發(fā)還是制造都要先買設備。Rapidus社長小池淳義日前在采訪中透露，他們已經完成了1臺EUV光刻機的籌備，不過具體的型號及進度沒有說明，不確定是ASML的哪款EUV光刻機，何時安裝、
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日本 EUV 光刻機
euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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