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ASML第二臺High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

作者: 時(shí)間:2024-08-06 來源:科技新報(bào) 收藏

正接收第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)8/1財(cái)報(bào)電話會議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,12月開始接收第一臺大型設(shè)備,安裝時(shí)間需要數(shù)月,預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202408/461714.htm

Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。

由于英特爾財(cái)報(bào)會議后股價(jià)表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。

高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過,客戶何時(shí)采用仍存在一些疑問。

已獲得十多臺High NA機(jī)器的訂單,客戶包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。英特爾計(jì)劃2027年前將此技術(shù)用于量產(chǎn),臺積電也將于今年收到設(shè)備,但還沒透露何時(shí)投入生產(chǎn)。

ASML CEO Christophe Fouquet于7月17日表示,DRAM存儲器英文制造商,這可能意指三星、SK海力士或美光,可能2025或2026年開始使用High NA設(shè)備。



關(guān)鍵詞: ASML High-NA 英特爾 光刻機(jī)

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