3d ic 文章 進入3d ic技術(shù)社區(qū)
西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析,幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具,能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
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西門子推出 Solido IP 驗證套件,為下一代 IC 設(shè)計提供端到端的芯片質(zhì)量保證
- ●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設(shè)計周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證,為IP開發(fā)團隊提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite),這是一套完整的自動化簽核解決方案,可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計知識產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍,涵蓋所有 IP 設(shè)計視圖和格式,還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證,能夠提升完整芯
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邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時,我們經(jīng)常使用簡化,如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時,接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會,公布2024年第一季財報,合并營收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營運效率提升,仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下,特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進的點云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離,速度更快,點云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當(dāng)在高端GPU上運行時,我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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2026年,中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示,2026年,中國大陸將超越韓國和中國臺灣,成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū),而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進行大量投資,并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外,KnometaResearch預(yù)計,2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%,2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底,中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%,落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預(yù)計到2025年,中國大陸的產(chǎn)能份額
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3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時
- 在 AI 服務(wù)器中,內(nèi)存帶寬問題越來越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下,HBM 內(nèi)存很火,它相對于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯的進展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND,1000層競爭加速!
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM(內(nèi)存)技術(shù)來看,業(yè)界認為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成,其中,晶體管負責(zé)傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3d ic介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d ic的理解,并與今后在此搜索3d ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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