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GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

  • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計,增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩,同時簡化設(shè)計。該逆變器尺寸極小,可集成到電機外殼中,從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器,采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC,內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作,可提供高達28 Apk(2
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

  • 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對自動光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢,還能針對缺陷或瑕疵及時修復(fù)、舍棄,降低不必要的時間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù),提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù),客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子推出 Symphony Pro 平臺,大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

  • ·    西門子先進的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證,助力提升生產(chǎn)效率多達10倍·    Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進的數(shù)字驗證方法學(xué),適用于當(dāng)今前沿的混合信號設(shè)計 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出 Symphony? Pro 平臺,基于原有的 Symphony 混合信號驗證能力,進一步擴展功能,以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗證方法學(xué),使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
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打造驅(qū)動第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

  • 受訪人:亞德諾半導(dǎo)體  大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步,其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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TrendForce:預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%

  • IT之家 7 月 15 日消息,TrendForce 集邦咨詢報告顯示,在供需失衡、庫存高漲的狀況下,預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等,且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢進一步表示,中國面板驅(qū)動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能,更愿意配合面板廠的要求,價格降幅可達到 10%-15%。報告指出,在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下,面板驅(qū)動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌,且有極大可能會比預(yù)估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外,TrendFor
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無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念

  • 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因為它可以提高系統(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復(fù)位(VPOR)的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號,而在該最低電源電壓到來之前,復(fù)位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說,我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),即開漏和推挽(圖1),兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓(VPULLUP)
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時代存儲升級

  • 近日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

  • 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見,國產(chǎn)存儲芯片,在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

  • 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預(yù)計年底量產(chǎn)

  • 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級

  • 比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場效晶體管(FinFET)透過這些埋入式電源軌(BPR)實現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度(第五屆)中國 IC 獨角獸榜單出爐

  • 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點的必爭領(lǐng)域。為了進一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展,進一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式,挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè),對優(yōu)秀企業(yè)進行系統(tǒng)化估值,提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動的基礎(chǔ)上,由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022(第五屆)中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月,收到企業(yè)自薦及機構(gòu)推薦
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

  • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙,支持新服務(wù)的無縫接入,并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求,以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專注3D ToF(飛行時間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。         
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