3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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不畏亂流半導(dǎo)體市場(chǎng)逆風(fēng)揚(yáng)

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對(duì)今年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍會(huì)較去年成長(zhǎng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測(cè)相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷售成長(zhǎng)幅度或有消長(zhǎng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長(zhǎng)強(qiáng)勁，功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長(zhǎng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái)，用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過(guò)單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長(zhǎng)15% 離散組件將回復(fù)正常水平

IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長(zhǎng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對(duì)抗和某些系統(tǒng)因素，沒(méi)有相對(duì)應(yīng)的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當(dāng)時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷售額成長(zhǎng)不到3 %。報(bào)告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)
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摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術(shù)或許是答案

按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大，半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級(jí)攀升，因此，業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
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雙目立體賦能3D機(jī)器視覺(jué)，銀牛攜芯片模組登陸中國(guó)市場(chǎng)

1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個(gè)技術(shù)方向：雙目立體，結(jié)構(gòu)光，飛行時(shí)間（ToF），結(jié)構(gòu)光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢(shì)頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測(cè)距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點(diǎn)，來(lái)計(jì)算對(duì)象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個(gè)發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對(duì)象物體再反射回來(lái)來(lái)計(jì)算這個(gè)深度。結(jié)構(gòu)光的弱點(diǎn)是在室外時(shí)，結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國(guó)“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國(guó)研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線上云會(huì)議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規(guī)劃開(kāi)局之年，本次會(huì)議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請(qǐng)了來(lái)自國(guó)內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當(dāng)前形勢(shì)下我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。北京市委常委、副市長(zhǎng)殷勇，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過(guò)度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
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多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知

　　原標(biāo)題：多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知強(qiáng)調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場(chǎng)幾度傳出臺(tái)積電即將全線漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效?！　?duì)此，據(jù)中央社報(bào)道，多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)收到臺(tái)積電漲價(jià)通知，并表示不會(huì)因而影響與臺(tái)積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計(jì)業(yè)者指出，臺(tái)積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%?！　〈送?，臺(tái)積電罕見(jiàn)未給客戶緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
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媒體稱明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺(tái)積電：不評(píng)論

　　財(cái)聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報(bào)道，IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺(tái)積電發(fā)言窗口表示，不評(píng)論價(jià)格問(wèn)題。
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AMD推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展首款3D chiplet應(yīng)用亮相

AMD展示了最新的運(yùn)算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運(yùn)算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商特斯拉和三星合作，擴(kuò)大了AMD運(yùn)算與繪圖技術(shù)在汽車與手機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用；新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級(jí)玩家與消費(fèi)性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來(lái)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會(huì)降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國(guó)防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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什么是3D XPoint？為什么它無(wú)人能敵卻又前景堪憂？

3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計(jì)算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白。
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