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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機(jī)型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
關(guān)鍵字： ROHM AI服務(wù)器服務(wù)器電源 MOSFET

東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對柵極施加負(fù)電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
關(guān)鍵字：東芝 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 光電耦合器

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
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開關(guān)性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項(xiàng)。本白皮書側(cè)重于探討專為低電池電壓領(lǐng)域的高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的先進(jìn) onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎(chǔ)知識、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合（三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換電動(dòng)汽車 MOSFET

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
關(guān)鍵字： CoolSiC MOSFET

低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)

低壓功率MOSFET設(shè)計(jì)用于以排水源電壓運(yùn)行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計(jì)相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。由于其先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和材料，低壓MOSFE
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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時(shí)切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時(shí)發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個(gè)問題可通過輸入保護(hù)電路來解決，比如圖
關(guān)鍵字：過壓保護(hù) 開關(guān)浪涌 MOSFET

瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻）
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
關(guān)鍵字：功率器件 MOSFET 電路

為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機(jī)架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數(shù)據(jù)中心供電：從電網(wǎng)到GPU電源供應(yīng)器(PSU)還必須滿足數(shù)據(jù)中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據(jù)中心的PSU應(yīng)滿足嚴(yán)格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 數(shù)據(jù)中心

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
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意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 STripFET F8 MOSFET

看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道　　為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。　要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓，以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET 熱插拔

強(qiáng)茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術(shù)車規(guī)級60 V N通道突破車用電子的高效表現(xiàn)

隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強(qiáng)茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導(dǎo)通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]