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為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

  • 簡介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量(eV)1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機(jī)型,包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器(HSC)*4電路的“RS7E200BG”(30V),以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速,
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中,當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí),米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓,進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有,在柵極關(guān)閉時(shí),對柵極施加負(fù)電壓。對于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
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速看!SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!http://m.ptau.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來了!http://m.ptau.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn),本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
  • 關(guān)鍵字: SiC  JFET  并聯(lián)設(shè)計(jì)  

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮,并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊,但這些模塊實(shí)際上也是通過并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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從硅到碳化硅過渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

  • 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體管(B
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2(G2)?技術(shù),其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源(SMPS)開發(fā),包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
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開關(guān)性能大幅提升!M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

  • 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項(xiàng)。本白皮書側(cè)重于探討專為低電池電壓領(lǐng)域的高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的先進(jìn) onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過各種特性測試和仿真,評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎(chǔ)知識、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合(三代進(jìn)化,安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
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第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號:■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)

  • 低壓功率MOSFET設(shè)計(jì)用于以排水源電壓運(yùn)行,通常低于100 V,但具有與高壓設(shè)計(jì)相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用,即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容:  低抗性(RDS(ON))以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失,從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí),低壓MOSFET的排水源電阻特別低,從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要,因?yàn)榈蚏D(ON)意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度,用于快速切換操作;在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。由于其先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和材料,低壓MOSFE
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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

  • 在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同,開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行,而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時(shí)切斷電流。可靠的工業(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路,以防止電源線路出現(xiàn)過壓,從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時(shí)發(fā)生,線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個(gè)問題可通過輸入保護(hù)電路來解決,比如圖
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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能?;谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源(UPS)等多個(gè)領(lǐng)域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝(REXFET-1)使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻(MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻)
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣,很難得的資料!

  • 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?):等效電路(2):說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)(1):等效電路(門極不加控制)(2):說明:即內(nèi)部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數(shù)情況下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)(1):等效電路(門極加
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET?

  • 如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸;因此必須提高功率密度,尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機(jī)架通常只有5 kW,增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1:數(shù)據(jù)中心供電:從電網(wǎng)到GPU電源供應(yīng)器(PSU)還必須滿足數(shù)據(jù)中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據(jù)中心的PSU應(yīng)滿足嚴(yán)格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范,要求30%到100
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安森美將收購碳化硅JFET技術(shù),以增強(qiáng)其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

  • 安森美(onsemi)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求,還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低,低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這
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