功率mosfet 文章 進入功率mosfet技術(shù)社區(qū)
突破功率密度的邊界：STL220N6F7功率MOSFET技術(shù)解析
- 技術(shù)背景：功率半導體進化論在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET如同"電子開關(guān)"般控制著能量流動的命脈。這類器件的核心使命是在導通時實現(xiàn)最低損耗，在關(guān)斷時承受最高電壓，同時要在兩種狀態(tài)間實現(xiàn)光速切換。隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源等領域的爆發(fā)式增長，市場對功率器件的需求呈現(xiàn)出"三高"特征：高電流承載能力、高開關(guān)頻率、高功率密度。傳統(tǒng)平面柵結(jié)構(gòu)MOSFET受限于寄生電容大、導通電阻高等瓶頸，已難以滿足新一代電力系統(tǒng)的嚴苛要求。技術(shù)突破：STripFET F7的
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率MOSFET
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
- Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交
- 關(guān)鍵字： CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET
Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
- 提供業(yè)界領先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率
- 關(guān)鍵字： Littelfuse 超級結(jié) 功率MOSFET
英飛凌發(fā)布面向大眾市場應用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率?MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場應用的要求而設計，實現(xiàn)了高度的設計靈活性。適合的應用包括工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS）、電機驅(qū)動器、電池供電應用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 StrongIRFET 功率MOSFET
P通道功率MOSFET及其應用
- Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P通道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應用P通道的簡易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P信道MOSFET易于驅(qū)動，具有設計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升成本效率。本文通過對N信道和P信道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
- 關(guān)鍵字： P通道 功率MOSFET ?Littelfuse
英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
推動汽車電子功率器件變革的新型應用——功率MOSFET篇
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時，電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 汽車電子 新能源汽車
東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關(guān)重要的反
- 關(guān)鍵字： 東芝 高速二極管型 功率MOSFET
Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
- 關(guān)鍵字： Vishay 源極倒裝技術(shù) PowerPAK 功率MOSFET
Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設計可滿足汽車應用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認證，這一特點使其成為汽車應用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車行業(yè)嚴格的質(zhì)量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應用性能
- 關(guān)鍵字： Littelfuse PolarP P通道 增強模式 功率MOSFET
啟方半導體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議
- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長期供應協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開關(guān)能力和高可靠性的，幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。市場調(diào)研公司OMDIA的數(shù)據(jù)表明，2022年功率分立器件的市場規(guī)模為212億美元，預計到2027年將達到284億美元，年復合增長率為6%。威世是全球領先的功率分立
- 關(guān)鍵字： 啟方半導體 威世 功率MOSFET
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
- 關(guān)鍵字： Vishay 650 V 功率MOSFET
英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容
- 【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS 功率MOSFET
東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實現(xiàn)電源電路小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性
- 關(guān)鍵字： 東芝 功率MOSFET 電源電路
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473