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一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設(shè)計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相關(guān)UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導(dǎo)，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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?MOSFET共源放大器的頻率響應(yīng)

在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來了解其頻率響應(yīng)。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應(yīng)。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導(dǎo)出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號（x）以產(chǎn)生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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?MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]