內(nèi)存 文章 進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
美光:已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判,相關(guān)訂單價(jià)值數(shù)十億美元
- IT之家 5 月 22 日消息,美光在昨日的摩根大通投資者會(huì)議活動(dòng)上表示,美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱,其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價(jià)格。美光預(yù)計(jì) HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財(cái)年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級(jí)的營收,而在 25 財(cái)年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測(cè),未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對(duì) HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求,美光調(diào)升了本財(cái)年資本支出的預(yù)計(jì)規(guī)模,從 75~80 億美
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組臺(tái)電腦成本越來越高:除 CPU / GPU 之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤價(jià)格也瘋漲
- IT之家 5 月 20 日消息,各位網(wǎng)友,你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺(tái)電腦越來越貴了嗎?除了 CPU 和 GPU 兩個(gè)大件之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價(jià)格也水漲船高,基本上所有零件都處于漲價(jià)狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價(jià)格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點(diǎn),甚至連 DDR5 內(nèi)存的價(jià)格似乎也已觸底。然而,這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點(diǎn),簡(jiǎn)要介紹如下:固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測(cè)過去 6-7 個(gè)月亞馬遜平臺(tái)固態(tài)硬盤價(jià)格,從 2023 年 10 月左右開
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邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年,DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡,此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后,供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少,更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存,全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲,預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3;而SK海力士則在去年
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詳解Linux內(nèi)核內(nèi)存管理架構(gòu)
- 內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個(gè)子系統(tǒng),其支持的功能需求眾多,如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統(tǒng)計(jì)等,而且對(duì)性能也有很高的要求。本文從內(nèi)存管理硬件架構(gòu)、地址空間劃分和內(nèi)存管理軟件架構(gòu)三個(gè)方面入手,嘗試對(duì)內(nèi)存管理的軟硬件架構(gòu)做一些宏觀上的分析總結(jié)。內(nèi)存管理硬件架構(gòu)因?yàn)閮?nèi)存管理是內(nèi)核最為核心的一個(gè)功能,針對(duì)內(nèi)存管理性能優(yōu)化,除了軟件優(yōu)化,硬件架構(gòu)也做了很多的優(yōu)化設(shè)計(jì)。下圖是一個(gè)目前主流處理器上的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案。從圖中可以看出,
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TrendForce集邦咨詢:震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤
- TrendForce集邦咨詢針對(duì)403震后各半導(dǎo)體廠動(dòng)態(tài)更新,由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級(jí)的區(qū)域,加上臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建,內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平,多半可以減震1至2級(jí)。以本次的震度來看,幾乎都是停機(jī)檢查后,迅速復(fù)工進(jìn)行,縱使有因?yàn)榫o急停機(jī)或地震損壞爐管,導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報(bào)廢,但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補(bǔ)齊,產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面,以位于新北的南亞科(Nanya)Fab3A,以及美光(Mic
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黃仁勛:三星是一家非常優(yōu)秀的公司,英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息,本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示:“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高,而且成本非常高,我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”(technological miracle),相比較傳統(tǒng) DRAM,不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能,功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會(huì)之前,網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會(huì)從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存,而在本次吹風(fēng)會(huì)上,黃仁勛正面表示:“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”(Samsung is a v
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三星計(jì)劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1,采用 LPDDR 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息,三星電子 DS(設(shè)備解決方案)部門負(fù)責(zé)人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在今日的三星電子股東大會(huì)上宣布,三星電子計(jì)劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示,Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗(yàn)證,正處于 SoC 設(shè)計(jì)階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報(bào)道指,Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),可將片外內(nèi)存與計(jì)算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外,該芯
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服務(wù)器內(nèi)部揭秘(CPU、內(nèi)存、硬盤)
- 服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn),存儲(chǔ)、處理網(wǎng)絡(luò)上80%的數(shù)據(jù)、信息,被稱為互聯(lián)網(wǎng)的靈魂。它不僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的機(jī)器,更像是一個(gè)精密的工程,由多個(gè)關(guān)鍵組件相互配合,以實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)。01?什么是服務(wù)器服務(wù)器是在網(wǎng)絡(luò)中為其他客戶機(jī)提供服務(wù)的高性能計(jì)算機(jī):具有高速的CPU運(yùn)算能力,能夠長(zhǎng)時(shí)間的可靠運(yùn)行,有強(qiáng)大的I/O外部數(shù)據(jù)吞吐能力以及更好的擴(kuò)展性。服務(wù)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通計(jì)算機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似(CPU、硬盤、內(nèi)存、系統(tǒng)總線等)。服務(wù)器Server:間接服務(wù)于多人;個(gè)人計(jì)算機(jī)PC:直接服務(wù)于個(gè)人。02 服務(wù)器的
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DDR之頻率
- 大家好,我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率,以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的??赡苓@篇文章對(duì)于電路設(shè)計(jì)用處不大,但多了解一點(diǎn)總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表,我們一起來了解一下內(nèi)存DDR的頻率。圖2 內(nèi)存頻率表格從表中可以看出內(nèi)存有三種頻率,分別是核心頻率,工作頻率和等效頻率。而我們平時(shí)所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息:1、核心頻率,指真正讀寫內(nèi)存顆粒的頻率,它是固定不變的,一般是133,166,和200MHz三類,這個(gè)頻率提升很難。2、工作頻率,DDR工作頻率是顆粒核
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展
- 全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存,并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位,并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能(AI)解決方案賦能。HBM3E:推動(dòng)人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增,內(nèi)存解決方案對(duì)于滿足工作負(fù)載需求
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美光高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗(yàn)
- 2024 年 3 月 1 日,中國上海 —— Micron Technology,Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗(yàn)。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語言模型(LLM)——“魔法大模型”(MagicLM),開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時(shí)代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心,在美光內(nèi)存和存儲(chǔ)的加持下,實(shí)現(xiàn)了升級(jí)版預(yù)測(cè)性和
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu):建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)
- 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)(R&D)機(jī)構(gòu),專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部(DSA)的硅谷總部之下運(yùn)營,由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過東芝以來,三星在隨后的30年里,一直是全球最大的DRAM制造商,市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠商,但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品,以保持他們?cè)谶@一領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 1. 電源 DDR的電源可以分為三類:a主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時(shí)間,單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時(shí),如果有一個(gè)完整的電源平
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內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡(jiǎn)介】
在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器,主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存,港臺(tái)稱之為記憶體)。
內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細(xì) ]
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