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TrendForce：庫存難去化內(nèi)存原廠罕見減產(chǎn)因應(yīng)

根據(jù)集邦科技TrendForce調(diào)查顯示，自2021年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響，導致內(nèi)存價格進入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰(zhàn)事與防疫封控的沖擊，旺季不旺，致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。為因應(yīng)前述情況，美光（Micron）上周已宣告減產(chǎn)DRAM與NAND Flash，為首家正式下調(diào)產(chǎn)能利用率的內(nèi)存大廠。NAND Flash方面，市況相較DRAM更嚴峻，隨著主流容量wafer合約均價已跌至現(xiàn)金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光后也公告自10月起減少NAND Flash產(chǎn)能利用
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傳英特爾將關(guān)閉傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù) 傲騰品牌或成為歷史

據(jù)外媒消息，英特爾已經(jīng)在一個多月前通知傲騰（Optane）內(nèi)存業(yè)務(wù)部門員工停止相關(guān)業(yè)務(wù)，今后不再會有新產(chǎn)品發(fā)布，庫存產(chǎn)品處理完之后也將不再生產(chǎn)，也就意味著傲騰品牌或?qū)⒊蔀闅v史。雖然之前英特爾透露將關(guān)閉傲騰業(yè)務(wù)，但并沒有正式的對外公布。雖然英特爾的傲騰品牌下有許多產(chǎn)品，包括傲騰內(nèi)存、傲騰持久內(nèi)存和傲騰 SSD，但此前該公司將所有產(chǎn)品都劃分到了“傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)”的范圍，所以關(guān)閉的是整個傲騰部門，不僅僅是傲騰內(nèi)存產(chǎn)品。英特爾在第二季度財報中就曾提到，“我們開始逐步關(guān)閉我們的英特爾傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)?！庇⑻貭朇EO在財報
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DDR5內(nèi)存滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費的更高要求

在過去的十年時間里，隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加，為了應(yīng)對這些海量需求，內(nèi)存技術(shù)也需要進一步擴展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實現(xiàn)當前所需性能的最佳解決方案，同時能夠進一步擴展，以滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時間延長導致效率降低，甚至無法進行多任
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金士頓：公司是 2021 年全球最大內(nèi)存模組供應(yīng)商，連續(xù) 19 年位居榜首

IT之家 9 月 7 日消息，獨立內(nèi)存產(chǎn)品制造商金士頓科技公司今天宣布，根據(jù)分析公司 TrendForce （前身為 DRAMeXchange）按收入進行的最新排名顯示，該公司是 2021 年全球最大內(nèi)存模組供應(yīng)商。金士頓以 142 億美元的收入保持其第一的位置，占 78.7% 的市場份額。TrendForce 指出，金士頓的收入同比增長了 8%，這是金士頓連續(xù)第 19 年保持第一的位置。根據(jù)該報告，2021 年全球前五大內(nèi)存模組供應(yīng)商占該市場總銷售額的 90%，其中金士頓占有該市場近 80%
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NAND半壁江山三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
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內(nèi)存、SSD持續(xù)降價韓國半導體廠商經(jīng)營狀況進一步惡化

　　據(jù)國外媒體報道，存儲芯片市場目前的狀況并不樂觀，已有研究機構(gòu)預(yù)計NAND閃存和DRAM的價格均在下滑，市場供過于求的狀況在明年會加劇?！　碛腥请娮雍蚐K海力士這兩大存儲芯片巨頭的韓國，是全球重要的存儲芯片供應(yīng)地，存儲芯片價格下滑，勢必會影響到韓國半導體廠商的業(yè)績?！　《n國媒體在報道中也表示，在存儲芯片市場增速放緩的情況下，存儲芯片價格的下滑將使韓國半導體廠商的經(jīng)營狀況進一步惡化?！　〈送猓n國媒體在報道中還提到，存儲芯片價格的下滑，還有可能影響韓國整體的出口?！　№n國媒體在報道中表示，半導體在韓
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貿(mào)澤電子與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議

專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議。ATP Electronics是專業(yè)存儲和內(nèi)存解決方案的知名供應(yīng)商。簽訂協(xié)議后，貿(mào)澤將分銷ATP Electronics面向工業(yè)與汽車應(yīng)用的存儲卡、SSD和托管NAND設(shè)備。ATP的工業(yè)固態(tài)硬盤 (SSD) 和模塊具有性能可靠、響應(yīng)迅速、使用壽命長的特點，適用于執(zhí)行關(guān)鍵性任務(wù)。ATP SSD堅固耐用，可承受嚴苛的工作環(huán)境，并且提供多種類型的產(chǎn)品，包括適用
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第二大存儲芯片廠商SK海力士將削減投資存儲降價

芯研所7月15日消息，知情人士透露，全球第二大存儲芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬億韓元（約合122億美元），以應(yīng)對電子產(chǎn)品需求慢于預(yù)期的局面。知情人士稱，SK海力士正基本按計劃推進今年支出約21萬億韓元以建設(shè)DRAM和NAND產(chǎn)能。芯研所采編不過，由于智能手機、服務(wù)器等各個領(lǐng)域的芯片需求下降的不確定性，迫使該公司重新考慮明年的擴張計劃。此前據(jù)行業(yè)調(diào)研公司集邦科技的報告，今年二季度，主要存儲芯片DRAM內(nèi)存的平均合同價格同比下跌10.6%，為2年來首降，另一種存儲芯片NA
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美光GDDR6X進一步提升帶寬和容量

16Gb內(nèi)存版本實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的 24Gb/秒速率，是游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者的理想之選2022年4月18日，上海—內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商?Micron?Technology， Inc.，今日宣布量產(chǎn)全新的 16Gb 容量 GDDR6X 內(nèi)存，并已搭載于NVIDIA(英偉達) GeForce RTX 3090 Ti 顯卡。新款 GDDR6X 內(nèi)存為美光獨有產(chǎn)品，容量較上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高達 15%。容量和性能的提升意味著終端用戶可在游戲和內(nèi)容創(chuàng)作等內(nèi)存密集應(yīng)用中體驗
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微處理器、單片機及其外設(shè)：處理還是控制？

每項新應(yīng)用設(shè)計都需要一個單片機或微處理器。當在兩者之間選擇其一時，需要考慮一些因素。以下是微處理器、單片機以及異構(gòu)架構(gòu)的概述。
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史上第一次5位數(shù)！DDR5內(nèi)存頻率突破10000MHz

　　DDR5內(nèi)存的標準起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！　　這也是內(nèi)存頻率第一次達到五位數(shù)字，進入了10GHz+時代?！　∵_成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團隊成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004。　　為了如此之高的頻率，內(nèi)存時序也放寬到了史無前例的72-126
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8533Mhz的LPDDR5X內(nèi)存，未必有你想的那么快

經(jīng)常關(guān)注我們?nèi)咨畹呐笥芽赡苓€記得，對于5G手機來說高速的內(nèi)存和閃存非常重要。一方面，這是因為網(wǎng)速的增加使得在線視頻、大型手游的品質(zhì)可以越做越高，對手機的IO吞吐性能提出了更高要求；另外一方面，根據(jù)國際電聯(lián)的要求，5G時代的最終目標是達到20Gbps的網(wǎng)絡(luò)帶寬，這就意味著手機至少也得具備與之相應(yīng)的內(nèi)存和閃存讀寫速度，才有可能充分發(fā)揮高速網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢。正因如此，自2019年秋季國內(nèi)市場5G正式商用以來，各上游廠商都在快速迭代手機的內(nèi)存、閃存技術(shù)標準。例如，2019年秋季的驍龍855+，使用的還是LPDDR4
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DDR5內(nèi)存五大升級都有啥？最后一個你絕對想不到

12代酷睿誕生以來，除開CPU本身，最受關(guān)注的莫過于在先進協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。關(guān)于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費級PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過。今天，重點聊聊被譽為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)
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LPDDR5 讓更多的手機擁有旗艦功能

手機制造商們發(fā)現(xiàn)了為旗艦和中端智能手機提供優(yōu)異性能的美光低功耗（LP）DDR5 DRAM。
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LPDDR5X標準與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps

2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標準，標準號 JESD209-5B。新版標準針對目前已經(jīng)應(yīng)用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標準。新標準表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機等產(chǎn)品。具體來看：（1）LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]