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要漲價嗎？內(nèi)存、閃存上游成交價持續(xù)上漲

半導(dǎo)體行業(yè)因為種種原因，非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，在剛過去的1月份，內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價均有一定幅度的上漲。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%，均價來到2.84美元，128Gb MLC閃存顆粒價格環(huán)比上漲3.17%，均價來到4.56美元。
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都是顆粒為什么SSD有壽命、內(nèi)存卻沒有？

隨著技術(shù)的發(fā)展,我們使用的存儲器也各種各樣,雖然都基于芯片顆粒,但表現(xiàn)截然不同,比如說讀寫次數(shù)限制,或者叫壽命,SSD固態(tài)硬盤就有限制,DRAM內(nèi)存卻沒有。按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲器,緊挨著CPU處理器,用來臨時存放后者需要的運算數(shù)據(jù),并與外部存儲器進行交換,起到橋梁的作用。DRAM內(nèi)存的特點是讀寫速度快、延遲低,但屬于易失性存儲,也就是一旦斷電,數(shù)據(jù)就會全部丟失。DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來保存數(shù)據(jù),而且只是臨時存儲數(shù)據(jù),并沒有實質(zhì)性的寫入,不涉及對物理單元結(jié)構(gòu)、屬性的改變,所
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國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價小幅上漲

集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價已經(jīng)談完了,預(yù)計會小幅上漲。國內(nèi)的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
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7nm銳龍線程撕裂者很好很強大,帶火單條32GB內(nèi)存

今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價的苗頭了，不過總體來看目前的內(nèi)存價位還是不錯的，8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個趨勢值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩歡迎，因為AMD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內(nèi)存平臺的首選。
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內(nèi)存現(xiàn)貨價狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價17%

以前降價的時候一個季度也不過10%-15%的降價,最近這一個月來,內(nèi)存價格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價格信息來看,8Gb顆粒的標準型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價的動機在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
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內(nèi)存和存儲的應(yīng)用熱點與解決方案

　　Raj Talluri? （美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理）　　1 內(nèi)存和存儲領(lǐng)域會出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點　　數(shù)據(jù)爆發(fā)推動了各個技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲的需求，而云和移動是當前內(nèi)存和存儲的最大需求來源?！　≡谝苿宇I(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長，智能手機比以往需要更大的 DRAM ，以支持計算攝影、面部識別、增強現(xiàn)實等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND?！　∨c此同時，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和N
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經(jīng)近5個季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
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南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對外確認，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因為當?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對清庫存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

北京時間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當月產(chǎn)量的11%，預(yù)計相當于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、
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蘋果中國官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件：44040元

有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋果中國官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋果官網(wǎng)給出的售價來看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，為兩個128GB DIMM）售價為44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（兩個16GB DIMM）售價為5872元。如果查看蘋果內(nèi)存套件和Mac Pro技術(shù)規(guī)格會發(fā)現(xiàn)，蘋果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存最快2021年量產(chǎn)

國內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個項目的預(yù)計實施時間及整體進度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計工藝。·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設(shè)計開展流片試樣，反復(fù)修改直至通過系統(tǒng)驗證。·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]