全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達95%以上，關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。

南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。

在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術來源也主要是美光授權(quán)，而且技術落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光授權(quán)，這兩年才搞定20nm內(nèi)存，也是授權(quán)+合作研發(fā)的模式，南亞上次自己搞內(nèi)存研發(fā)還是99nm時代。

在10nm級內(nèi)存芯片中，南亞決定自研了，目前10nm級前導產(chǎn)品預計會在今年下半年試產(chǎn)，主要包括8Gb核心的DDR4、LPDDR4及未來的DDR5，都可以由自研的技術平臺生產(chǎn)。

在解決10nm級內(nèi)存工藝技術之后，南亞還會繼續(xù)研發(fā)第二代10nm級工藝，預計2022年量產(chǎn)，還會開發(fā)第三代10nm級工藝。