內(nèi)存文章進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

Intel傲騰死了中國(guó)非易失性存儲(chǔ)重大突破！容量128Gb

2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)，但是來(lái)自中國(guó)的新存科技，卻在非易失性存儲(chǔ)方面取得了重大突破，無(wú)論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲(chǔ)、相變存儲(chǔ)、鐵電存儲(chǔ)、磁阻存儲(chǔ)，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學(xué)歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國(guó)首款最大容量新型存儲(chǔ)芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲(chǔ)芯
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英偉達(dá)被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存：694 個(gè) I/O 端口突破 AI 計(jì)算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個(gè)人 AI 超級(jí)計(jì)算機(jī)，可在性能方面帶來(lái)巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強(qiáng)，有望成為內(nèi)存市場(chǎng)的新增長(zhǎng)點(diǎn)。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進(jìn)行 SOCAMM 原型機(jī)的性能測(cè)試，預(yù)計(jì)最快將于今年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個(gè) I/O 端口，遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來(lái)了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級(jí) 成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報(bào)道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動(dòng)其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實(shí)了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對(duì)B2B服務(wù)器市場(chǎng)和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是系統(tǒng)級(jí)芯片高級(jí)內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強(qiáng)個(gè)人AI超級(jí)計(jì)算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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通過(guò) SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時(shí)序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時(shí)鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測(cè)試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時(shí)獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會(huì)在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，他們與美光公司進(jìn)行了溝通，并實(shí)施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來(lái)了性能提升。甚至對(duì)單核也有小小的改進(jìn)！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實(shí)際上
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒(méi)有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對(duì)三星內(nèi)存技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競(jìng)爭(zhēng)的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問(wèn)題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計(jì)算新需求

隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)內(nèi)存性能的需求日益增長(zhǎng)，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期，預(yù)計(jì)到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報(bào)道稱，高通第四代驍龍8平臺(tái)將支持LPDDR6，以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來(lái)了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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英偉達(dá)展望未來(lái) AI 加速器：集成硅光子 I/O，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存

12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議目前正在美國(guó)加州舊金山舉行。據(jù)分析師 Ian Cutress 的 X 平臺(tái)動(dòng)態(tài)，英偉達(dá)在本次學(xué)術(shù)會(huì)議上分享了有關(guān)未來(lái) AI 加速器的構(gòu)想。英偉達(dá)認(rèn)為未來(lái)整個(gè) AI 加速器復(fù)合體將位于大面積先進(jìn)封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設(shè)計(jì)，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存，并在模塊內(nèi)直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關(guān)內(nèi)容不在其分享的圖片中。在英偉達(dá)給出的模型中，每個(gè)
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動(dòng) LPDDR6-PIM 內(nèi)存

12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日?qǐng)?bào)道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化。報(bào)道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲(chǔ)器符合這一趨勢(shì)。報(bào)道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）注冊(cè)標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個(gè)需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲(chǔ)和計(jì)
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老對(duì)頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

12月2日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，在全球內(nèi)存市場(chǎng)上長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對(duì)AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競(jìng)爭(zhēng)，共同推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來(lái)越受到重視。PIM技術(shù)通過(guò)將存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲(chǔ)單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

10 月 30 日消息，芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī)，通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]