內(nèi)存文章進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

5G手機(jī)中的低功耗內(nèi)存有多重要？

今年我國(guó)迎來(lái)了5G手機(jī)爆發(fā)之年。相信很多消費(fèi)者也在考慮是否去換一部5G手機(jī)。但是他們也是有顧慮的：5G是什么？5G手機(jī)到底能干啥？另外，一些5G手機(jī)中出現(xiàn)了一個(gè)新名詞——LPDDR5內(nèi)存，是怎么回事？
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內(nèi)存、SSD價(jià)格恐崩盤(pán)：三星等存儲(chǔ)廠商積壓4個(gè)月庫(kù)存

自Digitimes的最新報(bào)道稱(chēng)，包括三星電子在內(nèi)的主要芯片廠商積壓了多達(dá)四個(gè)月的DRAM和NAND庫(kù)存。積壓的原因要?dú)w咎于需求疲軟，數(shù)據(jù)中心頂不上，消費(fèi)級(jí)同樣慘淡，當(dāng)然，都是被疫情“拖累”了。雖然因返校季的到來(lái)，已經(jīng)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季時(shí)間，可如果不降價(jià)就企圖消化如此多的庫(kù)存、回籠資金，并不現(xiàn)實(shí)。這也呼應(yīng)了此前宇瞻總經(jīng)理張家騉的判斷，他當(dāng)時(shí)表示，DRAM和NAND存儲(chǔ)芯片供過(guò)于求的局面將一直持續(xù)到明年上半年。考慮到NVIDIA剛剛發(fā)布RTX 30系顯卡、Intel發(fā)布Tiger Lake 11代酷睿處理器以及A
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內(nèi)存、SSD存儲(chǔ)芯片價(jià)格年底前要跌10%

考慮裝機(jī)DIY的用戶(hù)們，可以稍安勿躁，好消息拍馬趕到。來(lái)自Digitimes的最新報(bào)道稱(chēng)，業(yè)內(nèi)消息顯示，存儲(chǔ)類(lèi)芯片產(chǎn)品的價(jià)格將在今年第四季度環(huán)比下跌10%，注意，這包括但不限于DRAM和NAND。DRAM就是DDR內(nèi)存芯片，NAND就是閃存芯片，換言之，內(nèi)存條、SSD的價(jià)格將進(jìn)一步松動(dòng)。此次價(jià)格下探的原因在于庫(kù)存擠壓，這與上半年疫情的因素影響有關(guān)。由于四季度是傳統(tǒng)的出貨旺季，包括覆蓋感恩節(jié)、圣誕節(jié)、雙11、雙12等購(gòu)物狂歡活動(dòng)，廠商和渠道商們寄望于借此來(lái)快速消化庫(kù)存，回籠資金。事實(shí)上，上周，宇瞻總經(jīng)理張家
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內(nèi)存條價(jià)格下降，三星：都是因?yàn)橹袊?guó)廠商能夠造存儲(chǔ)芯片了

最近一段時(shí)間，內(nèi)存條的價(jià)格降了不少。這一點(diǎn)據(jù)說(shuō)主要是因?yàn)橹袊?guó)一些廠商，例如合肥長(zhǎng)鑫現(xiàn)在也能夠造存儲(chǔ)芯片了，畢竟這種東西以前的確是真正的高科技，中國(guó)在這方面一直無(wú)法取得突破。發(fā)達(dá)國(guó)家的幾個(gè)公司能夠壟斷這個(gè)存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)，所以?xún)r(jià)格自然定得很高，最有名的就是三星了。記得三星某一年其他的產(chǎn)業(yè)上虧損了不少，但是他拆東墻補(bǔ)西墻，把存儲(chǔ)這一塊的價(jià)格往上漲了不少，結(jié)果那一年三星成功的扭虧為盈。三星能夠如此厲害的掌控整個(gè)世界的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，就是因?yàn)樗谶@個(gè)產(chǎn)業(yè)上幾乎占有絕對(duì)壟斷的地位。某一天他想在存儲(chǔ)上賺錢(qián)了，他就找一些理由，
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PC 新時(shí)代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量?；谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開(kāi)始采用，之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)了：頻率、帶寬提升，功耗降低

去年下半年開(kāi)始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來(lái)，那么它今天真的來(lái)了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過(guò)一開(kāi)始會(huì)用在服務(wù)器上，后來(lái)才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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四通道DDR4內(nèi)存超頻新世界紀(jì)錄：讀取超136GB/s

無(wú)論CPU處理器、GPU顯卡、內(nèi)存，超頻一般都是提升頻率，而十銓科技(Team Group)玩了一把特殊的，超內(nèi)存的讀寫(xiě)速度。在十銓科技的幫助下，超頻高手LeeGH搭建了一套Intel酷睿i9-9940X 14核心處理器、華碩ROG Rampage VI Extreme Encore(X299)主板組成的平臺(tái)，使用四根十銓科技的T-Force Xtreem ARGB DDR4-3200(三星顆粒)，組成四通道配置。最
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國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展合肥長(zhǎng)鑫與3家公司合作

6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國(guó)產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導(dǎo)，門(mén)檻太高。合肥長(zhǎng)鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級(jí)別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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芯片制造商削減設(shè)備投資額，內(nèi)存價(jià)格有望繼續(xù)走高

根據(jù)市場(chǎng)研究公司Omdia最新的一份報(bào)告顯示,全球?qū)RAM生產(chǎn)設(shè)施的投資額預(yù)計(jì)將較上年同期減少13.3%,至178億美元;NAND閃存方面投資將達(dá)267億美元,降幅為5.8%。全球芯片制造商預(yù)計(jì)今年將削減對(duì)于生產(chǎn)設(shè)施的投資,就如2019年應(yīng)對(duì)嚴(yán)重供應(yīng)過(guò)剩的市場(chǎng)環(huán)境一般。不過(guò),Omdia也在報(bào)告中指出,2021年內(nèi)存市場(chǎng)的投資額可能會(huì)回升,包括DRAM設(shè)施投資預(yù)計(jì)增長(zhǎng)20.8%,至215億美元;NAND閃存投資增長(zhǎng)6.2%,至283億美元。對(duì)此,一位業(yè)內(nèi)人士表示,“考慮到內(nèi)存投資在下跌周期下跌,在上漲周期
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國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫芯片！光威弈PRO 16GB DDR4-3000內(nèi)存條上架

日前紫光國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條出現(xiàn)在京東商城,包括臺(tái)式機(jī)、筆記本兩種類(lèi)型,價(jià)格方面4GB 129元、8GB 219元,但不清楚內(nèi)存芯片是否為紫光自產(chǎn)。其實(shí)今年2月底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)就開(kāi)始公開(kāi)銷(xiāo)售自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,官方還強(qiáng)調(diào)是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,但因?yàn)橹饕饕嫦蛐袠I(yè)客戶(hù),沒(méi)有公開(kāi)報(bào)價(jià)?，F(xiàn)在,主打性?xún)r(jià)比的內(nèi)存品牌光威(Gloway)邁出了歷史性的一步,官方網(wǎng)站新上架了羿PRO系列內(nèi)存,赫然采用長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片!根據(jù)介紹,光威羿PRO系列內(nèi)存單條容量8G
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……）。　　核心容量密度方面，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說(shuō)，DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB?！　∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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Gartner：疫情對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的影響主要在需求端

迎? 九? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）摘? 要：2020年1月爆發(fā)的新冠肺炎疫情，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)業(yè)有何影響？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體于2020 年3月4日線上采訪了Gartner研究副總裁盛陵海先生。包括如下部分：全球半導(dǎo)體業(yè)的增幅預(yù)期下調(diào)，疫情對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的直接影響不大，對(duì)半導(dǎo)體需求端的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體芯片的全年波動(dòng)預(yù)測(cè)，中國(guó)對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)鏈的影響，半導(dǎo)體廠商需要注意的幾點(diǎn)因素等。關(guān)鍵詞：新冠；疫情；半導(dǎo)體；5G；內(nèi)存這次疫情對(duì)于具體企業(yè)的影響，主要還是看產(chǎn) 品。①?gòu)?019年開(kāi)始，因為國(guó)產(chǎn)替代的原
關(guān)鍵字： 202002 新冠疫情半導(dǎo)體 5G 內(nèi)存

Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng),由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì)在韓國(guó)平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱(chēng)內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存，港臺(tái)稱(chēng)之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]