內(nèi)存文章進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

集邦咨詢：供給調(diào)整速度不及需求成長，2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲

近日，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場，因此在買方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況，市場正快速從GDDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤價(jià)格扛不住了！漲起來

最近一段時(shí)間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎？有購買需求的小伙伴們可以入手了，因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價(jià)了。
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中國公司DDR4架構(gòu)成國際標(biāo)準(zhǔn) 正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定

日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。內(nèi)存價(jià)格每次大起大落，中國公司都很受傷，因?yàn)閲鴥?nèi)幾乎沒有公司可以參與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，公司2018年?duì)I業(yè)收入175,766.46萬元，凈利潤73,687.84萬
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三星將向中國芯片廠再投資80億美元：欲用創(chuàng)新壓制

據(jù)韓國媒體報(bào)道稱，三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈。
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引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
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邊緣AI為智能零售、智能工廠帶來的改變

　　Amit?Gattani?（美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部?高級市場總監(jiān)）　　摘?要：存儲器廠商美光介紹了邊緣AI為機(jī)器視覺和智能零售、智能工廠應(yīng)用帶來的變化，以及美光的存儲器解決方案?！　￡P(guān)鍵詞：邊緣AI；智能零售；智能工廠；內(nèi)存　　1 智能零售、智能工廠的AI機(jī)會(huì)　　邊緣AI正在智能零售、智能工廠/制造、智能城市/交通等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域迅速崛起。它提供了更智能的業(yè)務(wù)洞察，以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)力、更低的運(yùn)營成本，并更好地理解人們的行為。例如，零售商正在部署基于邊緣AI的系統(tǒng)，幫助更好地了解顧客行為、員工行為，管理店內(nèi)
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國產(chǎn)內(nèi)存再加速日本半導(dǎo)體行業(yè)重磅人物坂本幸雄加盟紫光

中國半導(dǎo)體行業(yè)又迎來一名重磅外援——紫光集團(tuán)今天宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開拓日本市場。坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在技術(shù)以及戰(zhàn)略發(fā)展上擁有優(yōu)秀的領(lǐng)導(dǎo)力。
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國產(chǎn)雄起！合肥長鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加

存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。最新報(bào)道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是月產(chǎn)4萬片晶圓。在9月份開幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個(gè)國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據(jù)悉，長鑫的DRAM技術(shù)
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三星內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備受污染：損失數(shù)百萬美元

三星電子透露，一周前，該公司的內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備受到污染，損失估計(jì)大約數(shù)百萬美元。三星表示，事故發(fā)生在一個(gè)星期之前，現(xiàn)在已經(jīng)完全解決，生產(chǎn)重歸正規(guī)。據(jù)悉，污染設(shè)備影響了整座工廠，大批相關(guān)晶圓不得不報(bào)廢處理，損失慘重，而且據(jù)內(nèi)部人士稱，實(shí)際損失可能比三星估計(jì)的數(shù)百萬美元還要多，因?yàn)槿巧形赐瓿扇吭u估。三星沒有披露具體是哪座工廠出現(xiàn)的問題，據(jù)外媒報(bào)道稱是一家相對落后的200mm內(nèi)存晶圓廠，而不是新的300mm晶圓廠。停電、洪水、起火、中毒……內(nèi)存、閃存、硬盤工廠在歷史上總是事故不斷，也伴隨著各種漲價(jià)。三星這一出事
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三星內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備污染發(fā)生在器興工廠專家：損失遠(yuǎn)超10億韓元

關(guān)于三星內(nèi)存工廠設(shè)備污染一事，更多的細(xì)節(jié)浮出水面。時(shí)間節(jié)點(diǎn)目前有兩種說法，上上周和數(shù)周前，地點(diǎn)據(jù)韓媒披露位于三星器興（Giheung）工廠，事發(fā)原因是8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備受到污染。三星發(fā)言人已經(jīng)對外確認(rèn)傳言為真，但強(qiáng)調(diào)目前生產(chǎn)狀況正常，此次意外的損失預(yù)計(jì)在10億韓元左右（約合601萬元人民幣）。不過，一些專家稱，三星的實(shí)際損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這個(gè)數(shù)字，而且官方并未統(tǒng)計(jì)出來。事實(shí)上，今年初，三星的第一代1x nm內(nèi)存也被在工廠階段查出質(zhì)量問題。外界一方面擔(dān)心三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，另外猜測此次意外會(huì)否干擾到內(nèi)存的價(jià)格走向。資
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可以讓數(shù)據(jù)存儲千年的物體：二氧化硅

對于不少科技公司來說，如何把數(shù)據(jù)更長久的保存下去，這確實(shí)是個(gè)頭疼的問題。據(jù)外媒報(bào)道稱，微軟研究團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行Project Silica二氧化硅項(xiàng)目，將信息編碼在一塊超強(qiáng)的玻璃上，為了證明它的有效性，他們在玻璃上存儲了一部經(jīng)典電影。據(jù)悉，Project Silica二氧化硅項(xiàng)目利用先進(jìn)的超快激光器件來完成此任務(wù)。激光在一塊硬質(zhì)石英玻璃中形成三維納米尺度光柵層，并在不同深度和角度產(chǎn)生變形。有點(diǎn)像舊唱片記錄方式，但規(guī)模更緊湊，更復(fù)雜。然后微軟采用機(jī)器學(xué)習(xí)算法，對通過玻璃的偏振光產(chǎn)生的圖像和圖案進(jìn)行解碼。按照上述
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DDR5內(nèi)存2020年開始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)

最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。很多玩家對DDR4內(nèi)存也沒感覺了，期待早點(diǎn)用上DDR5內(nèi)存，不過DDR5內(nèi)存的進(jìn)展沒有想象的那么快，2020年各大存儲芯片廠商才會(huì)量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，兩三年后才能普及。主導(dǎo)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC規(guī)范組織雖然之前宣布2018年正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實(shí)際上并沒有，最終規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200Mbps起，最高可達(dá)6400Mbps，電
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美光推出綜合性人工智能開發(fā)平臺

Micron Insight——美光科技股份有限公司近日宣布推出一組用于深度學(xué)習(xí)應(yīng)用的、功能強(qiáng)大的新型高性能硬件和軟件工具，該舉措基于對硬件和軟件初創(chuàng)公司 FWDNXT的收購。與美光的先進(jìn)內(nèi)存結(jié)合后，F(xiàn)WDNXT的人工智能硬件和軟件技術(shù)助力美光探索數(shù)據(jù)分析所需的深度學(xué)習(xí)解決方案，尤其是在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算領(lǐng)域中?；诖舜问召?，美光正在將計(jì)算、內(nèi)存、工具和軟件集成到該綜合性人工智能開發(fā)平臺中，該平臺也可為探索針對人工智能工作負(fù)載優(yōu)化的創(chuàng)新內(nèi)存提供重要基石。美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana
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SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片

近日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]