SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片
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時(shí)間：2019-10-23
來源：SEMI大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
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近日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/201910/406147.htm與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于可以在不適用超高價(jià)的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn)，其在成本上具有競爭優(yōu)勢。
新款1Z納米DRAM支持高達(dá)3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。
第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù)，提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。
接下來，SK海力士計(jì)劃將第三代10納米級微細(xì)工程技術(shù)擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1Z開發(fā)事業(yè)TF長李廷燻表示，該芯片計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。
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