近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。

據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。

三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年底將大陸無錫晶圓廠DDR3制程轉(zhuǎn)進(jìn)DDR4，等同于不再供貨DDR3；另一大頭部廠商美光為擴(kuò)充DDR5、高帶寬內(nèi)存產(chǎn)能，也大幅減少了DDR3供應(yīng)量。

DDR3是一種電腦存儲器規(guī)格，屬于SDRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，一種傳輸速率更高的DRAM）家族的第三代存儲器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的后繼者（增加至八倍）。

而在AI的驅(qū)動下，英偉達(dá)、AMD等AI芯片巨頭出貨大幅成長，并瘋搶AI芯片必備的HBM內(nèi)存，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足飆升的需求。放眼當(dāng)下能供應(yīng)HBM內(nèi)存的廠商僅SK海力士、美光、三星三家，HBM產(chǎn)品早已供不應(yīng)求，傳聞三星和SK海力士至2025年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄，甚至還要擴(kuò)充產(chǎn)能以進(jìn)一步滿足需求。

另外，將在下半年推出新一代主流桌面平臺都僅支持DDR5；同時(shí)在服務(wù)器端，英特爾的Xeon 6系列處理器呼之欲出，AMD的Zen5架構(gòu)EPYC Turin處理器也有望于年內(nèi)發(fā)布，均將推動服務(wù)器廠商加大DDR5采購量。

更重要的是，HBM產(chǎn)品的利潤率比起老舊的DDR3內(nèi)存要高得多，有報(bào)告稱HBM產(chǎn)品的價(jià)格大概比傳統(tǒng)DRAM高出數(shù)倍（約為DDR5的五倍），而且還在不斷上漲，預(yù)計(jì)明年HBM2E、HBM3和HBM3E的價(jià)格普遍上漲5%至10%。在這種情況下，考慮到如今生產(chǎn)DDR3內(nèi)存利潤率，以及現(xiàn)階段AI芯片市場的火熱程度，將產(chǎn)能更多地分配到DDR5和HBM產(chǎn)品也就不足為奇了。