3 月 20 日消息，本周二在美國(guó)加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。

黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。

在本次吹風(fēng)會(huì)之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會(huì)從三星采購(gòu) HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會(huì)上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a very, very good company.）。

黃仁勛表示目前已經(jīng)開(kāi)始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片，并考慮在未來(lái)下單采購(gòu)。

黃仁勛在本次吹風(fēng)會(huì)中，強(qiáng)調(diào)了 SK 海力士的重要性，是滿足英偉達(dá)現(xiàn)代 HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商。

IT之家注：目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封裝瓶頸之外，另一個(gè)重要限制就是 HBM，這其中的主要原因是 HBM 生產(chǎn)周期較 DDR5 更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出、封裝完成需要至少 2 個(gè)季度。

英偉達(dá)目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 內(nèi)存，主要供應(yīng)商為 SK 海力士，目前無(wú)法滿足整體 AI 市場(chǎng)需求。集邦咨詢表示三星于 2023 年年末，以 1Znm 產(chǎn)品加入英偉達(dá)供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星在 HBM 領(lǐng)域的重大突破。