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基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT

什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過(guò)
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT

IGBT驅(qū)動(dòng)電路介紹

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開(kāi)通過(guò)程IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，
關(guān)鍵字： IGBT 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電路

IGBT如何進(jìn)行可靠性測(cè)試？

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認(rèn)識(shí)到，為實(shí)現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測(cè)試確保質(zhì)量”方法，轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過(guò)設(shè)計(jì)確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來(lái)達(dá)到最終的質(zhì)量和可靠性水
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必看！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以
關(guān)鍵字： IGBT 晶體管基礎(chǔ)知識(shí)

IGBT 持續(xù)走強(qiáng)，頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn)

從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場(chǎng)需求疲軟，在半導(dǎo)體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過(guò)危機(jī)的主要方式之一。不過(guò)在半導(dǎo)體諸多賽道中，有這樣一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，它未受市場(chǎng)景氣度的影響，持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場(chǎng)格局根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模
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關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個(gè)關(guān)鍵

在 IGBT 的規(guī)格書(shū)中，可能會(huì)看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個(gè)安全工作區(qū)是指什么？圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來(lái)源ROHM）IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒(méi)有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實(shí)際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對(duì)其所在區(qū)域?qū)嵤囟?/li>
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IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計(jì)通?；谕扑]工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽(yáng)科技有限公司

10月31日，金升陽(yáng)作為EEPW的老朋友也來(lái)到直播間向我們分享了他們這次帶來(lái)的展品以及新的動(dòng)態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽(yáng)成立于1998年7月，25年來(lái)創(chuàng)造了高品質(zhì)的機(jī)殼開(kāi)關(guān)電源、導(dǎo)軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器等系列產(chǎn)品，其中多個(gè)產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過(guò)了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽(yáng)在近日榮獲UL Solutions授予的中國(guó)工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認(rèn)證證書(shū)及 IEC/UL 6
關(guān)鍵字：金升陽(yáng) AC/DC 電源模塊 DC/DC 業(yè)接口通訊模塊 IGBT

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，光伏，UPS，儲(chǔ)能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì)，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們

如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器，而非焊接變壓器，因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭?。更多?yōu)勢(shì)還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
關(guān)鍵字：英飛凌 650V IGBT

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
關(guān)鍵字： NCD57000 驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET onsemi 馬達(dá)控制