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基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě),也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度,BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān),MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件,通過(guò)
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 IGBT
IGBT驅(qū)動(dòng)電路介紹
- IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示:IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時(shí)不用考慮,重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開(kāi)關(guān)特性)。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開(kāi)通過(guò)程IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中,
- 關(guān)鍵字: IGBT 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電路
IGBT如何進(jìn)行可靠性測(cè)試?
- 在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商,為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品,且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認(rèn)識(shí)到,為實(shí)現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能,最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測(cè)試確保質(zhì)量”方法,轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過(guò)設(shè)計(jì)確保質(zhì)量”理念。在安森美,我們使用雙重方法來(lái)達(dá)到最終的質(zhì)量和可靠性水
- 關(guān)鍵字: IGBT 可靠性 測(cè)試
必看!IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總!
- 01 IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;(因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)))MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。(因?yàn)镸OS管有Rds,如果Ids比較大,就會(huì)導(dǎo)致Vds很大)IGBT綜合了以
- 關(guān)鍵字: IGBT 晶體管 基礎(chǔ)知識(shí)
IGBT 持續(xù)走強(qiáng),頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn)
- 從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場(chǎng)需求疲軟,在半導(dǎo)體賽道的周期性寒冬之下,各家企業(yè)相繼采取措施,減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過(guò)危機(jī)的主要方式之一。不過(guò)在半導(dǎo)體諸多賽道中,有這樣一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域,它未受市場(chǎng)景氣度的影響,持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場(chǎng)格局根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來(lái)看,按照其封裝形式的不同,可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器;IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電產(chǎn)品;而 IGBT 模
- 關(guān)鍵字: IGBT
關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個(gè)關(guān)鍵
- 在 IGBT 的規(guī)格書(shū)中,可能會(huì)看到安全工作區(qū)(SOA, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個(gè)安全工作區(qū)是指什么?圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) (圖片來(lái)源ROHM)IGBT 的安全工作區(qū)(SOA)是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒(méi)有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實(shí)際上,不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT,還需對(duì)其所在區(qū)域?qū)嵤囟?/li>
- 關(guān)鍵字: IGBT 安全工作區(qū) SOA
IGBT IPM實(shí)例:絕對(duì)最大額定值
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值,因此設(shè)計(jì)通?;谕扑]工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中,將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣,我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例:絕對(duì)最大額定值?首先,為了便于理解后續(xù)內(nèi)容,我們先
- 關(guān)鍵字: IGBT IPM ROHM
2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&廣州金升陽(yáng)科技有限公司
- 10月31日,金升陽(yáng)作為EEPW的老朋友也來(lái)到直播間向我們分享了他們這次帶來(lái)的展品以及新的動(dòng)態(tài)。謝工在直播中介紹到,金升陽(yáng)成立于1998年7月,25年來(lái)創(chuàng)造了高品質(zhì)的機(jī)殼開(kāi)關(guān)電源、導(dǎo)軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器等系列產(chǎn)品,其中多個(gè)產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過(guò)了UL、CE、EN60601-1。我們了解到,金升陽(yáng)在近日榮獲UL Solutions授予的中國(guó)工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認(rèn)證證書(shū)及 IEC/UL 6
- 關(guān)鍵字: 金升陽(yáng) AC/DC 電源模塊 DC/DC 業(yè)接口通訊模塊 IGBT
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線
- 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: IGBT 碳化硅 東風(fēng) 智新半導(dǎo)體
IGBT/MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
- 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處(例如外部柵極電阻器上)損失的功率。在以下示例中,我們將討論使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器)的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
- 關(guān)鍵字: IGBT MOSFET
能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
- 隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求,高效率,高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來(lái),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng),光伏,UPS,儲(chǔ)能,汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì),廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器,看看變頻器的典型電路?!敖弧薄弧彪娐?/li>
- 關(guān)鍵字: Nexperia IGBT
SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事,即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET IGBT WBG
充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們
- 如今,碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前,絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng),然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器,而非焊接變壓器,因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭?。更多?yōu)勢(shì)還包括直流電流比交流電流更安全,并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度,因此重量更輕。圖 1:焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激,而恒定電流是最常用的控制方
- 關(guān)鍵字: 安森美 IGBT
英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
- 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管,先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù),以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù),具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用,如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 650V IGBT
onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器,專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
- 關(guān)鍵字: NCD57000 驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET onsemi 馬達(dá)控制
igbt-ipm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條igbt-ipm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)igbt-ipm的理解,并與今后在此搜索igbt-ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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