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革新GaN IPM技術:引領高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)進入新時代

  • 在當今能效需求日益增長的時代背景下,家電及HVAC系統(tǒng)的設計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時,他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設計挑戰(zhàn)在于,如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下,設計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設計師們不斷創(chuàng)新,以實現(xiàn)能效與實用性的完美結合。基于以上背景,德州儀器(TI)再次走在行業(yè)前沿,通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵(GaN)智能功率模塊(IPM),為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日,德州儀器在發(fā)布
  • 關鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

德州儀器推出先進的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術,助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設
  • 關鍵字: 德州儀器  GaN IPM  高壓電機  

德州儀器推出先進的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術,助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
  • 關鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設計并降低成本

  • 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現(xiàn),有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時,QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計,非常適合用于大功率變流器
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  再生能源  

一文搞懂IGBT

  • 01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;(因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結材料和厚度有關))MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。(因為MOS管有Rds,如果Ids比較大,就會導致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的
  • 關鍵字: IGBT  功率半導體  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅(qū)動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅(qū)動器
  • 關鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅(qū)動器  

Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動器

  • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動器,適配單個LV100(三菱)、XHPTM 2(英飛凌)、HPnC(富士電機)以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊,該模塊適用于儲能系統(tǒng)以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅(qū)動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理,從而提高系統(tǒng)利用率,并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營銷經(jīng)理Thors
  • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  門極驅(qū)動器  

適用于三相電機驅(qū)動的智能功率模塊設計實用指南

  • 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南,該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅(qū)動,包含三相變頻段、柵極驅(qū)動器等。設計構思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此,它采用了新型柵極驅(qū)動高壓集成電路 (HVIC)、基于先進硅技術的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比,SPM 31 v2 的電路板尺寸更小,可靠性更高。其目標應用為工業(yè)變頻電機驅(qū)動,例如商用空調(diào)
  • 關鍵字: 功率模塊  指南  IPM  三相電機  

加速低碳化躍遷,智能功率模塊如何讓熱泵更智能?

  • 隨著企業(yè)向低碳未來邁進,市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關鍵目標在于,盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸,同時提高效率。于是,智能功率模塊 (IPM) 應運而生,并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成,具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能,非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù),在歐盟消耗的所有能源中,約 50% 用于供暖和制冷,而且超過 70% 仍然來自化石燃料(主要是天然氣)。在住宅領域,約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵(圖
  • 關鍵字: 熱泵  功率半導體  智能功率模塊  IPM  

從零了解汽車電控IGBT模塊

  • 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機驅(qū)動部分,則是電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對外宣布,歐盟27個成員國已經(jīng)初步達成一致,歐洲
  • 關鍵字: 汽車  電控  IGBT  

車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量

  • 3 月 28 日的發(fā)布會上,小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時,雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標準版及 Max 版基本配置外,還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產(chǎn),不可選配,故相關車型可最先交付,而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付,Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日,小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場,雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念,再揮手目送每位車主離開。
  • 關鍵字: IGBT  

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
  • 關鍵字: 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

  • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析S
  • 關鍵字: IGBT  SiC  開關特性  

一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

  • 熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術,其滿足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標熱泵的原理與制冷類似,其大部分技術基于冰箱的設計。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
  • 關鍵字: 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

意法半導體隔離柵極驅(qū)動器:碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶

  • 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器,非常適合各種應用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案,在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離,確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用,對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高,而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
  • 關鍵字: STGAP  MOSFET  IGBT  驅(qū)動器  電氣隔離  
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