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吉利科技旗下晶能車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片

  • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。吉利科技集團(tuán)消息顯示,該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉,晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制
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吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片

  • IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
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[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏,且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率,相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用,而且在汽車
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基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

  • 隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視,在汽車領(lǐng)域,新能源汽車肩負(fù)著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動(dòng)汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一,其核心部件車載充電機(jī)(OBC)經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價(jià)比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標(biāo)。本方案是品佳集團(tuán)聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計(jì),基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運(yùn)算任務(wù),功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進(jìn)而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

  • 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡(jiǎn)單說明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)(開通和關(guān)斷)損耗,而二極管損耗
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為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

  • 對(duì)于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,通過IGBT反向續(xù)流永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生。然而,在輕負(fù)載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會(huì)有反向電流流過。這個(gè)諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(shí)(Vin&l
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如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

  • 現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成,節(jié)省了不少精力,不得不說這對(duì)工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來看一個(gè)IGBT的完整工作波形:IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計(jì)算推導(dǎo)過程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來看一下理想的
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功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

  • 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

  • 針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析,著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán),分析結(jié)果可知,活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板,剝離強(qiáng)度25 MPa,(-40 ~150)℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次,能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬次,滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  AlN陶瓷基板  金屬化  可靠性應(yīng)用  202212  

一文讀懂功率半導(dǎo)體

  • 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會(huì)用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端,為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
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10分鐘狂充80%電量!東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

  • 近日消息,從東風(fēng)汽車官方獲悉,東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代,從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%,并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時(shí),總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
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吉利也要自制IGBT功率模塊,一期年產(chǎn)60萬套

  • 吉利招標(biāo)平臺(tái)發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向,吉利加入IGBT封裝的自制隊(duì)伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米,建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠,主要包括 3000 平方米的萬級(jí)潔凈室及實(shí)驗(yàn)室,1000平方米的動(dòng)力站,1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項(xiàng)目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),杭州錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立,是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺(tái)”之一,是連接杭州城東智
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半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強(qiáng),頭部公司訂單飽滿紛紛擴(kuò)產(chǎn)

  • 半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整,但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動(dòng),以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率器件強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng),相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿,產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級(jí)IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭,斯達(dá)半導(dǎo)今年前三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)達(dá)到5.9億元,同比增長(zhǎng)1.21倍,增速超過營業(yè)收入,銷售毛利率達(dá)到41.07%,環(huán)比提升。在12月5日斯達(dá)半導(dǎo)三季度業(yè)績(jī)說明會(huì)上,公司高管介紹,近幾個(gè)季度營收增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量,市場(chǎng)份額不斷提高;隨著規(guī)?;?yīng)
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