igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

吉利科技旗下晶能車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片

近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。吉利科技集團(tuán)消息顯示，該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉，晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制
關(guān)鍵字：吉利科技晶能車規(guī)級(jí) IGBT

吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
關(guān)鍵字：吉利 IGBT

[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用，而且在汽車
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視，在汽車領(lǐng)域，新能源汽車肩負(fù)著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動(dòng)汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一，其核心部件車載充電機(jī)（OBC）經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價(jià)比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標(biāo)。本方案是品佳集團(tuán)聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計(jì)，基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運(yùn)算任務(wù)，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
關(guān)鍵字： Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT

如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡(jiǎn)單說明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
關(guān)鍵字：安森美 IGBT

為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

對(duì)于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇，如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下，通過IGBT反向續(xù)流永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生。然而，在輕負(fù)載或瞬態(tài)條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會(huì)有反向電流流過。這個(gè)諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(shí)（Vin&l
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CCM模式

如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對(duì)工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來看一個(gè)IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分，下面我分別來看一下各部分的計(jì)算推導(dǎo)過程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來看一下理想的
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
關(guān)鍵字：瑞薩柵極驅(qū)動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET

IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
關(guān)鍵字： IGBT AlN陶瓷基板金屬化可靠性應(yīng)用 202212

一文讀懂功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT

10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
關(guān)鍵字：東風(fēng) 碳化硅功率模塊 IGBT

吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬套

吉利招標(biāo)平臺(tái)發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊(duì)伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級(jí)潔凈室及實(shí)驗(yàn)室，1000平方米的動(dòng)力站，1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項(xiàng)目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺(tái)”之一，是連接杭州城東智
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊吉利

半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強(qiáng)，頭部公司訂單飽滿紛紛擴(kuò)產(chǎn)

半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整，但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動(dòng)，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)，相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿，產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級(jí)IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭，斯達(dá)半導(dǎo)今年前三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)達(dá)到5.9億元，同比增長(zhǎng)1.21倍，增速超過營業(yè)收入，銷售毛利率達(dá)到41.07%，環(huán)比提升。在12月5日斯達(dá)半導(dǎo)三季度業(yè)績(jī)說明會(huì)上，公司高管介紹，近幾個(gè)季度營收增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量，市場(chǎng)份額不斷提高；隨著規(guī)?；?yīng)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IGBT