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一種電動汽車能量回饋下IGBT保護(hù)策略優(yōu)化及驗證

- 舒 暉(奇瑞新能源汽車股份有限公司,安徽 蕪湖 241002) 摘 要:針對電動汽車在能量回饋時,動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下,提出了一種IGBT保護(hù)策略優(yōu)化方案,快速檢測因動力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓,觸發(fā)保護(hù)機制保護(hù)IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值,最終通過實車驗證了該方案的可行性。結(jié)果表明,優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測到抬升的母線電壓,觸發(fā)保護(hù)機制,停止IGBT工作,降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險?! £P(guān)鍵詞:電動汽車;能量回饋;IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
- 關(guān)鍵字: 202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
新基建驅(qū)動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

- 我國正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預(yù)測,并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字: 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率

- 本文將強調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達(dá)佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費大量心神,來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
- 關(guān)鍵字: MOSEFT FWD ST IGBT
東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件(IPD)。該器件采用小型表面貼裝封裝,設(shè)計用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅(qū)動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造,與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動帶方波輸入信號的無刷直流電機,無需PWM控制
- 關(guān)鍵字: IPD IGBT IC
東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字: IGBT MOSEFT
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
- 關(guān)鍵字: SiC IPM
Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器,適用于壓接式IGBT模塊

- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器,新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成,非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護(hù)
- 關(guān)鍵字: 門極驅(qū)動器 IGBT
電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

- 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機的應(yīng)用趨勢,以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
用智能相位控制技術(shù)提高家用電器的電機效率

- 姜鐵軍 (東芝電子元件(上海)有限公司?系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略業(yè)務(wù)企劃統(tǒng)括部?高級工程師)摘? 要:介紹了家用電器用電機的特點,以及東芝提升電機效率的智能相位控制技術(shù)和產(chǎn)品。 關(guān)鍵詞:BLDC;智能相位控制技術(shù);IPM1? 家電用電機的特點?電機在如今這個時代非常重要。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯 示,全球大約50%的電能 是被電機消耗的。在以 前,電機的應(yīng)用主要集中 在工業(yè)領(lǐng)域,隨著人民生 活水平的不斷提升,家用 電器領(lǐng)域開始異軍突起。 數(shù)量巨大的家用電器在電 機使用中占比很大,如家 電類的冰箱、空調(diào)、洗
- 關(guān)鍵字: 202003 BLDC 智能相位控制技術(shù) IPM
工業(yè)電機用功率半導(dǎo)體的動向

- Steven?Shackell? (安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理)摘? 要:電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機;工業(yè)電機需要更高能效的電機,同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞:電機;電動工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機產(chǎn)品系列,尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機類型的 商機感到興奮,并非常看好無刷直流電機(BLDC)應(yīng)用 (例如電動工具),
- 關(guān)鍵字: 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

- 王定良(電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院,四川 成都 610054) 摘? 要:作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來越重要,但是越來越快的開關(guān)速度,可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型,完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)?;趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu),改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?! £P(guān)鍵詞:IGBT;
- 關(guān)鍵字: 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT,有助于降低功耗并簡化設(shè)備設(shè)計

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V,二極管正向電壓[2]為1.8V,分別比東芝當(dāng)前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫(TC=100℃)條件下的導(dǎo)通損耗特性進(jìn)行了改進(jìn),而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設(shè)備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
- 關(guān)鍵字: IGBT 分立
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上,公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來,寬禁帶半導(dǎo)體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁

- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng),可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能,開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護(hù)功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案,包括通過AEC車規(guī)認(rèn)證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等,
- 關(guān)鍵字: 超級結(jié)MOSFET IGBT 充電樁
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