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給世界一顆“中國芯”
- 一個國家老工業(yè)城市如何在新時期取得成功? 美國硅谷的經(jīng)驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動力之都
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動。 新IC采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用?！ 〈送?，該新型柵極驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應(yīng)
- 當IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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意法半導體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊，節(jié)省高能效電機驅(qū)動電路的空間
- 意法半導體SLLIMM?-nano系列IPM產(chǎn)品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM)，提供IGBT或MOSFET輸出選擇，用于電機內(nèi)置驅(qū)動器或其它的空間受限的驅(qū)動器，輸出功率范圍從低功率到最高100W。 新模塊的導通能效和開關(guān)能效都很高，特別是在最高20kHz硬開關(guān)電路內(nèi)表現(xiàn)更為出色。通過管理開關(guān)電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt)，內(nèi)部柵驅(qū)動電路能夠?qū)㈦姶泡椛?EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產(chǎn)品的可靠性，支持無散熱器設(shè)計，同時2.7mm爬電距離和2.0
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采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！ ∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
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IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望
- 2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT
- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
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【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
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