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Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

  • 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
  • 關鍵字： MOSFET  MCU  IGBT  

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

智能功率模塊適合中小功率應用，ROHM 打造600 V耐壓產(chǎn)品

  • 1? ?中小功率市場，IPM開始流行隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及及用戶體驗的提升，需要產(chǎn)品有更長的待機時間或工作時間，這無疑會增加電能的消耗，這就要求功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的效率越來越高；與此同時，新產(chǎn)品的開發(fā)周期越來越短，需要快速的電源設計。因此，適合高效率且低功耗的、模塊化的智能功率模塊（IPM）開始普及。IPM 不同于普通的功率模塊。普通功率模塊是把需要用到的功率器件集成在一個封裝里。對于應用工程師，還需要匹配驅(qū)動等外圍電路。IPM 不僅把功率器件集成進去了，還把驅(qū)動電路以及周邊的保護電路全部集成到了
  • 關鍵字： 202106  智能功率模塊  IPM  

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

  • 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

  • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

集中供電電源的設計與實現(xiàn)*

  • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理，最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
  • 關鍵字： 集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

比亞迪半導體將發(fā)布新一代高性能IGBT

  • 2018年比亞迪半導體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹立了國內(nèi)車規(guī)級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術團隊等資源。當時長三角地區(qū)是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資
  • 關鍵字： 比亞迪  IGBT  

為何智能功率模塊會盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

  • 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當前，世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達峰和碳中和的目標，這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因為隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長的待機時間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進一步提升，因此，近年來IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例，全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
  • 關鍵字： IPM  IGBT  

電機驅(qū)動系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

  • 1? ?電機驅(qū)動系統(tǒng)的關鍵是可靠性和能效電機在現(xiàn)代生活中無處不在， 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎設施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機占全球總電力消耗的45％，因此電機驅(qū)動電子設備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應用之一，隨著傳統(tǒng)機器人、協(xié)作機器人和自主移動機器人的采用，我們看到工廠和其他設施變得更加自動化。一種提高電機驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
  • 關鍵字： MOSFET  IPM  202103  

基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應加熱設計

  • 電磁感應加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護，過壓保護，過溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據(jù)系統(tǒng)要求來調(diào)節(jié)。同時，
  • 關鍵字： 感應加熱  IPD Protect  IGBT  小家電  TRENCHSTOP  202102  

電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
  • 關鍵字： IT6862A  IT6015D-80-450  電動車用大功率 IGBT 模塊測試  

科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

  • 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制。基于一個獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構師的設計過程，同時降低了成本。RBC3
  • 關鍵字： OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  對流冷卻設計  

推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

  • 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
  • 關鍵字： EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
  • 關鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  
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