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揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí)，通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點(diǎn)于一身，而這些技術(shù)特點(diǎn)正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動(dòng)汽車的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動(dòng)汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù)，代表著中等功率模塊技術(shù)的先進(jìn)水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競(jìng)爭(zhēng)力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊封裝

車規(guī)級(jí)IGBT，爆火

11月25日，時(shí)代電氣發(fā)布公告稱，公司擬對(duì)控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中車時(shí)代半導(dǎo)體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車時(shí)代半導(dǎo)體向公司購(gòu)買汽車組件配套建設(shè)項(xiàng)目（包含IGBT項(xiàng)目）部分資產(chǎn)。天眼查顯示，近日，宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司成立，注冊(cè)資本36億元。該公司由時(shí)代電氣、株洲芯連接零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）共同持股，經(jīng)營(yíng)范圍包含：半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷售；工程和技術(shù)研究和試驗(yàn)發(fā)展；貨物進(jìn)出口等。就在今年9月，時(shí)代電氣就已投資111億元加速擴(kuò)產(chǎn)IGBT項(xiàng)
關(guān)鍵字： IGBT 車規(guī)級(jí)芯片

純電動(dòng)汽車用PMSM系統(tǒng)堵轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)與應(yīng)用

摘要：介紹了一種純電動(dòng)汽車用永磁同步電機(jī)系統(tǒng)的堵轉(zhuǎn)控制包含對(duì)原理、法規(guī)要求過(guò)程分析、測(cè)試方法及策略控制應(yīng)用，通過(guò)對(duì)永磁同步電機(jī)的基本工作原理變換到堵轉(zhuǎn)的工作原理及帶來(lái)的問(wèn)題的原因，通過(guò)建立堵轉(zhuǎn)策略及仿真計(jì)算開展實(shí)施驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT的溫度保護(hù)策略，并確立目標(biāo)開展對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT選型設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真設(shè)計(jì)校核并通過(guò)臺(tái)架和整車實(shí)車測(cè)試驗(yàn)證設(shè)計(jì)目標(biāo)，驗(yàn)證了系統(tǒng)性能，安全性高，在通過(guò)設(shè)計(jì)對(duì)整車目標(biāo)進(jìn)行校核的同時(shí)，防止過(guò)度開發(fā)，降低了系統(tǒng)開發(fā)成本。關(guān)鍵詞：PMSM；PWM；堵轉(zhuǎn)；IGBT；載頻0
關(guān)鍵字： 202211 PMSM PWM 堵轉(zhuǎn) IGBT 載頻

新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級(jí)600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用，然后介紹了1700V IG
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）

IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)通常包含以下內(nèi)容：1. 封面，包括器件編號(hào)，IGBT技術(shù)的簡(jiǎn)短描述，如果是帶共封裝續(xù)流二極管的器件，數(shù)據(jù)手冊(cè)也會(huì)包括二極管的功能，關(guān)鍵參數(shù)，應(yīng)用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數(shù)和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)4. 25°C和150°C或175°C時(shí)的開關(guān)特性5. 電氣特性
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？

柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動(dòng)組件上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching）和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來(lái)嘮一嘮IGBT在軟開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長(zhǎng)期以來(lái)，IGBT給人的印象就如農(nóng)
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如何抑制IGBT集電極過(guò)壓尖峰

在過(guò)去的文章中，我們?cè)?jīng)討論過(guò)IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，集電極會(huì)產(chǎn)生電壓過(guò)沖的問(wèn)題（回顧：IGBT集電極電壓超過(guò)額定電壓會(huì)發(fā)生什么？）。IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時(shí)間很短，也可能對(duì)IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時(shí)器件電流有關(guān)。當(dāng)器件在短路或者過(guò)流狀態(tài)下關(guān)斷時(shí)，集電極電壓過(guò)沖會(huì)格外大，有可能超過(guò)額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊(cè)是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間，驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體

具有故障存儲(chǔ)功能的數(shù)字化IGBT驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)軌道交通領(lǐng)域IGBT的使用要求，設(shè)計(jì)了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲(chǔ)功能的數(shù)字化驅(qū)動(dòng)器。文章介紹了驅(qū)動(dòng)器總體方案，設(shè)計(jì)了多電壓軌電源系統(tǒng)；分析了異常驅(qū)動(dòng)信號(hào)對(duì)IGBT正常工作的危害，并通過(guò)軟件算法實(shí)現(xiàn)了短脈沖抑制與超頻保護(hù)；電源欠壓會(huì)導(dǎo)致IGBT開關(guān)異常，使用欠壓檢測(cè)芯片進(jìn)行檢測(cè)并在發(fā)生欠壓故障時(shí)進(jìn)行脈沖封鎖；針對(duì)短路故障，使用退飽和電路檢測(cè)并結(jié)合軟件時(shí)序進(jìn)行保護(hù)；詳細(xì) 分析了IGBT開關(guān)過(guò)程各階段的不同特性，設(shè)計(jì)了可優(yōu)化開關(guān)性能的多等級(jí)開關(guān)電路；通過(guò)存儲(chǔ)芯片與可編程邏輯
關(guān)鍵字： 202206 存儲(chǔ) 數(shù)字化 IGBT 驅(qū)動(dòng)器

驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

摘要：本文介紹了一種新能源電動(dòng)汽車上用驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動(dòng)電源方案的設(shè)計(jì)分析及其驗(yàn)證，通過(guò) 對(duì)基本Buck-boost拓?fù)溲芯孔儞Q到Flyback電路，通過(guò)對(duì)LTC1871電流驅(qū)動(dòng)芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)、分析，設(shè)計(jì)反激變壓器參數(shù)目標(biāo)需求匹配驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)PWM供電、NMOS驅(qū)動(dòng)、電流檢測(cè)、反饋輸出電壓跟蹤閉環(huán)調(diào)節(jié)，實(shí) 現(xiàn)滿足一款I(lǐng)nfineon的驅(qū)動(dòng)芯片1ED020I12芯片的驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)，本方案通過(guò)原理設(shè)計(jì)、電路仿真及電路臺(tái)架測(cè) 試，驗(yàn)證了系統(tǒng)性能、安全性高，同時(shí)可以通過(guò)較少的外圍電路實(shí)現(xiàn)可靠的
關(guān)鍵字： 202206 升降壓變換器反激反激變壓器 IGBT 脈寬調(diào)制

英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級(jí)分立式IGBT EDT2組件

海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級(jí)IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號(hào)。這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅(jiān)定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計(jì)電機(jī)控制單元（MCU）的技術(shù)路線，不斷開發(fā)出高性價(jià)比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車規(guī)級(jí)分立式IGBT EDT2器件

中國(guó)領(lǐng)先的車載逆變器供應(yīng)商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規(guī)級(jí)IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個(gè)型號(hào)。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
關(guān)鍵字：英博爾英飛凌 IGBT

英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT,進(jìn)一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容

Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI），進(jìn)一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該P(yáng)PI專為輸配電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器（MMC）、中壓驅(qū)動(dòng)器、直流電網(wǎng)斷路器、風(fēng)電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。Prime Switch IGBT的阻斷電壓為4.5 kV，不帶有FWD的型號(hào)電流為3000 A，帶有FWD的型號(hào)為 2000 A。英飛凌為3000
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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊,大幅提升逆變器的功率密度

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器（SVG）等應(yīng)用。與過(guò)去采用IGBT4芯片組的模塊相比，基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模塊在相同的封裝尺寸下，可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V I
關(guān)鍵字：逆變器 IGBT