igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性

　　Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）　　摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性。　　關(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動器　　在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器
關(guān)鍵字： 201909 IGBT 隔離式柵極驅(qū)動器

向小功率和大功率延伸三菱電機(jī)五大新品看點

在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來越得到重視與應(yīng)用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵時期，對功率半導(dǎo)體器件的需求將會越來越大。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力達(dá)到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) PCIM亞洲展 IGBT

變頻空調(diào)IPM可靠性研究與應(yīng)用

　　黎長源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽合肥 230088）　　摘要：針對空調(diào)用IPM模塊生產(chǎn)過程及運(yùn)輸周轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計、器件應(yīng)用環(huán)境設(shè)計質(zhì)量可靠性等方面進(jìn)行分析。通過器件失效機(jī)理、結(jié)構(gòu)對比、X光、機(jī)械應(yīng)力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結(jié)果表明：IPM整體結(jié)構(gòu)設(shè)計存在質(zhì)量缺陷，IPM抗機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)度水平低，在實際應(yīng)用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機(jī)械失效與器件本身設(shè)計質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián)；從器件本身可靠性設(shè)計、本
關(guān)鍵字：變頻空調(diào) IPM 開裂器件結(jié)構(gòu) 機(jī)械應(yīng)力 201907

IGBT場效應(yīng)管的工作原理及檢測方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
關(guān)鍵字： IGBT 場效應(yīng)管

更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器

電機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動化、機(jī)器人、起重機(jī)……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在這種應(yīng)用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。在設(shè)計電機(jī)驅(qū)動器時，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
關(guān)鍵字：電機(jī) IGBT

安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出

2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 IGBT SiC肖特基二極管技術(shù)

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動器耐受性隔離

意法半導(dǎo)體的先進(jìn)IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計可提高家電感應(yīng)加熱效率

　　意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。　　新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計人員可以選用這些IGBT，來達(dá)到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導(dǎo)體的軟開關(guān)用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 IGBT

2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT

變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！

　　IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結(jié)合案例具體分析一下?！　《x　　一、IGBT爆炸：因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸?！　《? IGBT爆炸原因分析　　1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱?！　?.人為因素 (1)進(jìn)線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負(fù)載3.常
關(guān)鍵字： IGBT，變頻器

集邦咨詢：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元

　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
關(guān)鍵字： IGBT SiC

除了代工小米9，造車的比亞迪還做了這些事！

比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚，在手機(jī)代工和其它業(yè)務(wù)方面，仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國重要的制造企業(yè)代表，比亞迪在行業(yè)中具有模范作用，相信經(jīng)過不斷技術(shù)突破和進(jìn)步，比亞迪將會為我國眾多制造企業(yè)樹立一個又一個全新的示范里程碑!
關(guān)鍵字：小米9 比亞迪 IGBT

本土廠商同歐日三分天下，中國IGBT不再“一芯難求”

國內(nèi)汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
關(guān)鍵字： IGBT

關(guān)于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的IGBT，你想知道的都在這里

　　摘要：工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護(hù)的問題?！　　　」I(yè)環(huán)境中的短路：工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器的工作環(huán)境相對惡劣，可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
關(guān)鍵字：工業(yè)電機(jī) IGBT

富士電機(jī)電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

　　11月7日，富士電機(jī)株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長五十嵐征輝博士來訪之后，富士電機(jī)高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入新階段。青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎，詳細(xì)介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機(jī)的合作進(jìn)展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關(guān)注，仔細(xì)詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域，對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間，雙方對下一步的合作重點和計劃
關(guān)鍵字：青銅劍 IGBT