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中國廠商貢獻(xiàn)50%銷售：光刻機(jī)廠商ASML被美國壓制 無法獨(dú)善其身

  • 9月2日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，在美國要求下，ASML明年可能無法為中國廠商維修光刻機(jī)。報(bào)道中提到，在ASML某些在中國提供服務(wù)和備件的許可證于今年年底到期后，現(xiàn)在的荷蘭首相很可能不再為其續(xù)期，而相關(guān)決定是在美國施加一定壓力后做出的。目前的情況是，ASML的銷售額中，約有一半來自中國。荷蘭新任首相也公開表示，上述規(guī)則變動會非常謹(jǐn)慎，因?yàn)檫@會影響光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）的經(jīng)濟(jì)利益這位新的首相直言：“我們正進(jìn)行良好的談判。我們也正特別關(guān)注阿斯麥的經(jīng)濟(jì)利益，這些利益需要與其他風(fēng)險(xiǎn)權(quán)衡，而經(jīng)濟(jì)利益是極其重要的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)

  • 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定

  • IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日報(bào)道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示，仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8
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中國大陸仍是ASML光刻機(jī)最大買家 占全球總銷售額49％

  • 全球光刻機(jī)大廠ASML近日發(fā)布2024年第2季度財(cái)報(bào)，實(shí)現(xiàn)凈銷售額62.4億歐元，同比下滑約7.6%，同比增長約18%，居于官方預(yù)測中間值。雖然半導(dǎo)體設(shè)備出口限制規(guī)定生效造成影響，但中國大陸需求持續(xù)旺盛，依然是ASML的第一大銷售市場，市占比依然高達(dá)49%，主要項(xiàng)目仍在未受限的DUV設(shè)備。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示，正如此前幾個(gè)季度，半導(dǎo)體行業(yè)的整體庫存水平持續(xù)得到改善。無論是邏輯芯片還是存儲芯片客戶，對光刻設(shè)備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀環(huán)境為主的不確定
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國產(chǎn)廠商引入首臺光刻機(jī)設(shè)備！

  • 據(jù)寧波前灣新區(qū)管理委員會7月15日消息，近日寧波冠石半導(dǎo)體有限公司迎來關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，引入首臺電子束掩模版光刻機(jī)。據(jù)悉，該設(shè)備是光掩模版40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)及28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)研發(fā)的重點(diǎn)設(shè)備。光掩模版是集成電路制造過程中光刻工藝所使用的關(guān)鍵部件，類似于相機(jī)“底片”，光線經(jīng)過掩膜版后，可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前，我國高精度半導(dǎo)體光掩模版產(chǎn)品主要仍依賴于進(jìn)口，國產(chǎn)化率極低。據(jù)了解，冠石半導(dǎo)體主要從事45nm~28nm半導(dǎo)體光掩模版的規(guī)模化生產(chǎn)。當(dāng)前，冠石半導(dǎo)體一期潔凈車間設(shè)計(jì)產(chǎn)能為月產(chǎn)5000片180nm~2
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為什么說佳能是「明智」的光刻機(jī)出貨商？

  • 與從「器材之王」跌落的尼康有何區(qū)別？
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機(jī)

  • 日前，日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠設(shè)立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線，開始量產(chǎn)半導(dǎo)體最尖端光刻機(jī)的零部件產(chǎn)品（保護(hù)半導(dǎo)體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品）。據(jù)悉，此種CNT薄膜可以實(shí)現(xiàn)92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為5000張，生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出EUV光刻機(jī)提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了

  • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級到了
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0.75 NA 突破芯片設(shè)計(jì)極限！Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖：2030 年推出，每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓

  • IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機(jī)構(gòu) imec 表示阿斯麥（ASML）計(jì)劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機(jī)，目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時(shí)安特衛(wèi)普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中，表示：“從長遠(yuǎn)來看，我們需要改進(jìn)光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí)，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”
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美國芯片管控引ASML吐槽：倒逼中國廠商造出更先進(jìn)光刻機(jī)

  • 快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公開表示，美國嚴(yán)厲的芯片管控規(guī)定，只會倒逼中國廠商進(jìn)步更快。ASML CEO表示，多年來，公司都不用擔(dān)心設(shè)備的去向會受到政治限制，但突然之間，這卻變成了全世界最重要的話題之一。過去一段時(shí)間，美國一直在向荷蘭施壓，以阻止中國獲得關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)。去年，荷蘭政府宣布了新的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施，主要針對先進(jìn)制程的芯片制造技術(shù)，阿斯麥?zhǔn)桩?dāng)其沖。根據(jù)ASML今年1月1日發(fā)布的聲明，荷蘭政府撤銷的是2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的出口許可證
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ASML：EUV光刻機(jī)已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？

  • ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機(jī)已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo)，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國
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臺積電今年將拿到最新款光刻機(jī)

  • 6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時(shí)會收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機(jī)器每臺造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A
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EUV光刻機(jī)“忙瘋了”

  • 據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運(yùn)營。推動摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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光刻機(jī)介紹

國外半導(dǎo)體設(shè)備 我公司擁有國外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺灣3S公司生產(chǎn)的光刻機(jī),涂膠臺, 金絲球焊機(jī),電子束蒸發(fā)臺。 濺射臺及探針臺等各種設(shè)備,世界知名劃片機(jī)企業(yè)英國Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸 精密劃片機(jī)，300毫米清洗機(jī),。 如您感興趣請登錄以下網(wǎng)站或Email: 網(wǎng)址:http://www.loadpoint.com.cn www.chihoc [ 查看詳細(xì) ]

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