cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 今天我們就來談?wù)凢i
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS
- 盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時(shí)能夠更加從容，有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動作都會更加
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高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能
- 2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。 高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？
- 最近，中國微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動性能達(dá)到了國際先進(jìn)水平。 基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會場之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW?！ ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！ ?.3
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CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 像傳感器
CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器
CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 影像傳感器
格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes
- 格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備?！ 「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？
- 盡管距離國際標(biāo)準(zhǔn)化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運(yùn)營商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手，對5G進(jìn)行全面布局。 “預(yù)計(jì)2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)。”鑒于全球運(yùn)營商的積極行動，業(yè)界紛紛調(diào)高了對5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報(bào)告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
數(shù)字集成電路的四大性能檢測技巧
- 一、電壓法判斷數(shù)字集成電路好壞 1、如果數(shù)字集成電路的供電電壓正常，焊接良好，而測得其電源引腳的電壓值過低，則可判定該被測數(shù)字集成 電路已損壞。 2、如果測得數(shù)字集成電路電源電壓引腳的電壓值正常，但其他引腳的電壓值大多失常，則說明接地引腳是虛焊，而該集成電路大多正常。 3、如果測得數(shù)字集成電路的個(gè)別或少數(shù)幾個(gè)引腳的電壓值偏離正常值較大，則應(yīng)先檢查與這個(gè)引腳所對應(yīng)原外圍元器件電路是否有故障，如電阻短路、斷路、電容漏電或被擊穿等。若外圍元器件電路無故障，則說明該被測數(shù)字集成電路已損壞。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間
- 半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。 在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評選出15項(xiàng)最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。 胡正明率領(lǐng)的美國加州大學(xué)柏克萊分校團(tuán)隊(duì)，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
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