cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
針對高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議
- ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！ RM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題?！ ?、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密
- 三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。 除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象
- 半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 而對于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴(kuò)增
- 應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！ ?yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代
- 在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 “如 果我們能專注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟(jì)學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上對近3,000名與會(huì)者表示：“而超越CMOS，我們將看
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歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng)完成對OmniVision收購
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng)等提出收購邀約到完成并購歷時(shí)長達(dá)兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達(dá)克證券市場的交易。 豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計(jì) 19 億美元代價(jià)授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達(dá)克證券市場暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
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【E課堂】數(shù)字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點(diǎn)
- 隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數(shù)字電路中的△I噪聲正逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點(diǎn)，對認(rèn)識(shí)△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實(shí)際意義?！ 》聪嗥魇菙?shù)字設(shè)計(jì)的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點(diǎn)?！ ? △I噪聲的產(chǎn)生 1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生 TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩(wěn)定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時(shí)，電源提供的電流IH和I
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三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？
- 一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。 香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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AMD：14納米FinFET將進(jìn)入GPU市場 年中進(jìn)入量產(chǎn)
- 盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應(yīng)商，但在先進(jìn)技術(shù)的投入上，仍然沒有手軟過。 AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列，在去年推出導(dǎo)入HBM(高頻寬記憶體)技術(shù)后，引來市場關(guān)注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構(gòu)，采用14奈米FinFET制程，目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶，預(yù)計(jì)在今年年中進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)程，該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實(shí)境)與桌上型電腦等領(lǐng)域。 據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構(gòu)有別于過往
- 關(guān)鍵字： AMD FinFET
索尼正式加入汽車熱潮：設(shè)立車用CMOS芯片部門
- 汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個(gè)熱門領(lǐng)域，其中蘋果也跟進(jìn)谷歌(微博)，開始研發(fā)電動(dòng)車。而在日前，日本索尼公司也對架構(gòu)進(jìn)行了重組，設(shè)立了獨(dú)立的汽車業(yè)務(wù)部門，擬開發(fā)車用CMOS圖像傳感器的市場。 據(jù)“今日日本”網(wǎng)站12月28日報(bào)道，索尼日前對外公布了公司架構(gòu)的重組事宜以及人事變化，架構(gòu)調(diào)整將會(huì)從2016年1月1日生效。 索尼宣布，在“設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)集團(tuán)”下，新設(shè)立三個(gè)部門，“汽車業(yè)務(wù)”
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