cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過(guò)采用專項(xiàng)技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開(kāi)了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠(yuǎn)的未來(lái)，微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求，在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。　　讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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風(fēng)雨欲來(lái)，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)

　　CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%?？春么艘簧虣C(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。　　CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)

　　CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%?？春么艘簧虣C(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。　　CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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“中芯國(guó)際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝

　　近日，中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國(guó)際無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開(kāi)發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。　　中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國(guó)際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET

　　整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來(lái)達(dá)成以上目標(biāo)。　　上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。　　IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
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圖解索尼CMOS圖像傳感器的神奇之處

　　毫無(wú)疑問(wèn)，索尼是2014年全球感光元件銷售的大贏家，市場(chǎng)占有率達(dá)到了40%，而他們剛剛推出A7R II更是首款搭載背照式CMOS的全畫幅相機(jī)。其圖像傳感器技術(shù)已大幅領(lǐng)先。但“大法”傳感器到底有何厲害?他們是怎樣發(fā)展出現(xiàn)在的技術(shù)?FRAMOS Technologies Inc.技術(shù)專家Darren Bessette使用一系列圖文講述了索尼六代圖像傳感器進(jìn)化史。
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有關(guān)混合信號(hào)的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn)，包括示波器、信號(hào)調(diào)節(jié)器等

　　混合信號(hào)，一種說(shuō)法是未來(lái)的系統(tǒng)將是大型的混合信號(hào)系統(tǒng)，它所占的比例將會(huì)增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來(lái)的ASICs會(huì)用到多達(dá)一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們，而類比和混合信號(hào)電路將會(huì)被留在晶片之外。　　RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué) 　　設(shè)計(jì)和生產(chǎn)混合信號(hào)IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設(shè)計(jì)一直被認(rèn)為是&l
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
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NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)？

　　美國(guó)記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話訪問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計(jì)而強(qiáng)化了14nm FinFET的設(shè)計(jì)架構(gòu)

　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強(qiáng)化過(guò)的設(shè)計(jì)架構(gòu)，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的客戶的進(jìn)程上達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，形成一個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)“入門套件”，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行物理實(shí)
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

　　隨著智能手機(jī)的興起，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。　　電容式微麥克風(fēng)原理　　
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
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14納米FinFET制程略勝一籌全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)暗潮洶涌

　　雖然臺(tái)積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個(gè)大客戶，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴(kuò)充彈性優(yōu)勢(shì)，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍(lán)圖。　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺(tái)積電客戶結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計(jì)公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨(dú)霸半遍天，加上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也開(kāi)始爭(zhēng)取到重要
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如何挑選一個(gè)高速ADC

　　高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。　　還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。　　影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
關(guān)鍵字： ADC CMOS