cmos finfet 文章進入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

EVG集團為工程襯底和電源器件生產(chǎn)應(yīng)用推出室溫共價鍵合技術(shù)

　　EVG集團，微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場上領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商，今天宣布推出EVG?580 ComBond? - 一款高真空應(yīng)用的晶圓鍵合系統(tǒng)，使得室溫下的導(dǎo)電和無氧化共價鍵合成為可能。這一全新的系統(tǒng)以模塊化平臺為基礎(chǔ)，可以支持大批量制造(HVM)的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應(yīng)用的出現(xiàn)成為可能，包括：　　· 多結(jié)太陽能電池　　· 硅光子學(xué) 　　· 高真空MEMS封裝　　&
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智能門禁的可編程高效節(jié)能電源的設(shè)計

　　入口門禁系統(tǒng)顧名思義就是對出入口通道進行管制的系統(tǒng)，它是在傳統(tǒng)的門鎖基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。傳統(tǒng)的機械門鎖僅僅是單純的機械裝置，無論結(jié)構(gòu)設(shè)計多么合理，材料多么堅固，人們總能用通過各種手段把它打開。在出入人很多的通道(象辦公室，酒店客房)鑰匙的管理很麻煩，鑰匙丟失或人員更換都要把鎖和鑰匙一起更換。為了解決這些問題，就出現(xiàn)了電子磁卡鎖，電子密碼鎖，這兩種鎖的出現(xiàn)從一定程度上提高了人們對出入口通道的管理程度，使通道管理進入了電子時代，但隨著這兩種電子鎖的不斷應(yīng)用，它們本身的缺陷就逐漸暴露，磁卡鎖的問題是信息容易復(fù)
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基于負(fù)載牽引技術(shù)的射頻功率放大器設(shè)計

　　射頻功率放大器要輸出一定的功率給負(fù)載，利用負(fù)載牽引技術(shù)可以彈性地找到所需功率的負(fù)載點。這里描述了基于負(fù)載牽引技術(shù)的5.2-GHz WLAN 的功率放大器的設(shè)計方法，采用CMOS 工藝設(shè)計了放大電路，接著對該放大電路進行負(fù)載牽引，在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸進輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，最后使用ADS軟件進行整體仿真，得到了滿足系統(tǒng)指標(biāo)要求的功率放大器。　　功率放大器處于通訊系統(tǒng)中信號發(fā)射機的最末端，用來放大信號，與小信號放大器不同，它要輸出一定的功率給負(fù)載。效率是功率放大器的一個基本指標(biāo)，就非恒包絡(luò)調(diào)制方式而言，包絡(luò)
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CMOS 放大器的新時代

　　十多年前，半導(dǎo)體設(shè)計與應(yīng)用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝，因為它可在 80% 的良率下實現(xiàn) 100uV 以下的放大器輸入失調(diào)電壓。當(dāng)時，Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業(yè)領(lǐng)域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺，但它們很少將其用于實現(xiàn)高性能。　　盡管雙極性技術(shù)依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先進的設(shè)計技巧、高級的微調(diào)方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。　　以往，雙極
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大聯(lián)大攻物聯(lián)網(wǎng)添生力軍

　　IC通路商大聯(lián)大積極擴大物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)及車用市場布局，旗下世平近日再新增代理無線射頻晶片廠RFaxis的主要產(chǎn)品線CMOS RFeIC;由于RFaxis已獲聯(lián)發(fā)科、展訊公板設(shè)計的協(xié)力廠商，為大聯(lián)大在亞太市場布局物聯(lián)網(wǎng)增添實力。　　RFaxis指出，物聯(lián)網(wǎng)感測器節(jié)點的單價，應(yīng)該低于1美元才有可能獲得大規(guī)模普及，這意味著傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)或SiGe(矽鍺)無線射頻晶片，幾乎難有任何利潤的空間，而RFaxis所推出的純CMOS的裸片解決方案，不論在封裝規(guī)格、性能與成本等各方面，更符合其價格需求。
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SK海力士搶攻CIS　引進SoC用12吋晶圓蒸鍍設(shè)備

　　韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)為量產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)，將引進研究用途系統(tǒng)芯片(SoC)用12吋晶圓蒸鍍設(shè)備，吸引業(yè)界關(guān)注。CIS為智能型手機相機模塊、醫(yī)學(xué)用攝影設(shè)備等IT、數(shù)字裝置廣泛使用的非內(nèi)存芯片，近來使用范圍也擴大到車用半導(dǎo)體。　　據(jù)南韓MT News報導(dǎo)，SK海力士近來向南韓一半導(dǎo)體設(shè)備制造廠采購非內(nèi)存用分區(qū)化學(xué)氣相沉積(Space Divided Plasma CVD;SDPCVD)設(shè)備。該設(shè)備將設(shè)置在SK海力士利川工廠研究園區(qū)中，進行CIS研究開發(fā)。　　S
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麥瑞半導(dǎo)體與 Silicon Micro Sensors 合作推出同類最佳的百萬像素以太網(wǎng)攝像頭，用于先進駕駛輔助系統(tǒng)和工業(yè)視覺

　　高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司 (Micrel, Inc.) 和先進的光學(xué)與微機械傳感器系統(tǒng)制造商 Silicon Micro Systems (SMS) 今天發(fā)布用于汽車和工業(yè)系統(tǒng)的全新 HDR-CMOS 百萬像素以太網(wǎng)攝像頭。這款可投入生產(chǎn)的攝像頭由攝像頭專家 SMS(First Sensor 子公司 Silicon Micro Sensors GmbH)設(shè)計和制造，采用了麥瑞半導(dǎo)體獨特的低放射網(wǎng)絡(luò)解決方案。　　First
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臺積16納米試產(chǎn)海思處理器明年7月量產(chǎn)

　　臺積電昨(12)日宣布，完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場效晶體管強化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機應(yīng)用處理器試產(chǎn)，預(yù)定本月完成所有可靠性試驗，明年7月正式量產(chǎn)。　　這是臺積電拓展先進制程一大里程碑。業(yè)界認(rèn)為，正值三星再度與臺積電爭奪蘋果下世代A9處理器訂單之際，臺積電16納米FinFET+技術(shù)到位后，將進一步拉大與三星差距，對臺積電而言，A9訂單「有如探囊取物」，最快明年夏天開始投產(chǎn)A9芯片。　　臺積電昨天不對單一客戶導(dǎo)入16納米制程狀況置評，強調(diào)明年底前，估計將完成近60件產(chǎn)品設(shè)計定案
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是德科技支持臺灣大學(xué)高速射頻和毫米波技術(shù)中心研發(fā) B4G/5G 技術(shù)

　　是德科技公司日前宣布贊助臺灣大學(xué)(NTU)高速射頻與毫米波技術(shù)中心的 B4G MIMO 實驗室。是德科技同時參加了揭牌儀式后舉行的 B4G/5G 技術(shù)論壇。B4G MIMO 實驗室是臺灣大學(xué)高速射頻與毫米波技術(shù)中心實施的項目之一，旨在開發(fā)未來 4G 和 5G 移動通信系統(tǒng)的關(guān)鍵元器件。　　5G 正在逐步成為滿足移動互聯(lián)網(wǎng)使用需求的核心技術(shù)，為此臺灣當(dāng)局主管部門鼓勵學(xué)術(shù)界開發(fā)未來技術(shù)，并號召臺灣大學(xué)這所知名學(xué)府：1. 建立高速射頻和毫米波技術(shù)中心，2. 研究先進技術(shù)，3. 進一步推動當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)發(fā)展。是
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臺媒：大陸半導(dǎo)體勢力步步緊逼臺廠受威脅

中國大陸并不以臺灣為假想敵，但是，國內(nèi)的實力是實實在在的，無論從制程、還是手機芯片方面，臺灣都感受到了壓力......
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14/16納米FinFET制程

　　行動裝置如智慧型手機、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對于半導(dǎo)體晶片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28奈米制程，到20奈米制程，將于2015年進入第一代3D設(shè)計架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。　　臺積電2015年下半即將量產(chǎn)16奈米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代，英特爾早一些量產(chǎn)，之后是三星，GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營。　　臺積電因為為大客戶蘋果生產(chǎn)20奈米制程晶片，因此16奈
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基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設(shè)計(二)

　　7.1.3 虹膜外邊緣的確定　　(1) 虹膜外邊緣的特征分析　　由圖1中所示的虹膜圖像可以看出，虹膜外邊緣的主要特點是：較相對與虹膜內(nèi)邊緣而言，邊緣處灰度變化不是特別明顯，有一小段漸變的區(qū)域。也就是說，虹膜內(nèi)部灰度趨近于一致這個事實，在參考文獻(xiàn)[8]中，介紹的環(huán)量積分算子應(yīng)該式是一種有效的方法。　　即：　　 ? 　　(7-10) 　　(2) 采用環(huán)量積分算子實現(xiàn)虹膜外邊緣的檢測　　如上分析，虹膜環(huán)量積分算子是檢測虹膜外邊緣的一種有效手段，為了克服虹膜紋理對環(huán)量線
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基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設(shè)計(一)

　　項目信息　　1.項目名稱：基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設(shè)計　　2.應(yīng)用領(lǐng)域：工業(yè)控制、科研、醫(yī)療、安檢　　3.設(shè)計摘要：　　基于虹膜的生物識別技術(shù)是一種最新的識別技術(shù)，通過一定的虹膜識別算法，可以達(dá)到十分優(yōu)異的準(zhǔn)確性。隨著虹膜識別技術(shù)的發(fā)展，它的應(yīng)用領(lǐng)域越來越寬，不僅在高度機密場所應(yīng)用，并逐步推廣到機場、銀行、金融、公安、出入境口岸、安全、網(wǎng)絡(luò)、電子商務(wù)等場合。在研究了虹膜識別算法，即預(yù)處理、特征提取和匹配的基礎(chǔ)上，我們設(shè)計了一種可便攜使用的基于FPGA的嵌入式虹膜識別系統(tǒng)。本系
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CMOS電路ESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計

　　1　引　言　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。　　2　ESD保護原理　　ESD保護電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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工業(yè)以太網(wǎng)OPEN IE的數(shù)據(jù)通訊方案

　　1引言　　在當(dāng)今自動化領(lǐng)域，網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于各行各業(yè)的工業(yè)環(huán)境中，它是構(gòu)成各類控制系統(tǒng)的基礎(chǔ)，其性能直接影響著系統(tǒng)整體的綜合指標(biāo)，不同的網(wǎng)絡(luò)種類形式如：串口通訊、現(xiàn)場總線、以太網(wǎng)等已在各類場合獲得了驗證和發(fā)展，但隨著近年來it技術(shù)的迅猛發(fā)展，這種格局正在發(fā)生著巨大的變化，特別是以太網(wǎng)技術(shù)正由商業(yè)向工業(yè)、上層向低層、低速向高速、非實時向?qū)崟r、封閉向透明、層次化向扁平化等方面全面發(fā)展和延伸，并融合了各類現(xiàn)場總線的技術(shù)和協(xié)議，再加上低成本的刺激和速度的提高因素，全球各自動化巨頭廠商也不斷推出&
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