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ATA-304C功率放大器在半波整流電化學(xué)方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應(yīng)用

  • 實驗名稱:ATA-304C功率放大器在半波整流電化學(xué)方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應(yīng)用實驗方向:環(huán)境電化學(xué)實驗設(shè)備:ATA-304C功率放大器 , 信號發(fā)生器、蠕動泵、石墨棒等實驗?zāi)康模涸诎氩ㄕ麟娀瘜W(xué)方法中,以聚苯胺修飾碳氈電極(PANI/CF)為陰極,利用功率放大器及信號發(fā)生器等設(shè)備組裝了用于去除低濃度含鉛廢水中鉛離子的裝置。該研究豐富了對基于半波整流電化學(xué)法處理低濃度含鉛廢水機理的認識,為進一步加快該方法的實際應(yīng)用提供了基本理論支撐。實驗過程:如圖所示,我們組裝了一個單室、無
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ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點膠性能測試中的應(yīng)用

  • 實驗名稱:ATA-P2010功率 放大器 在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點膠性能測試中的應(yīng)用實驗方向:封裝技術(shù)實驗設(shè)備:ATA-P2010功率放大器 , 信號發(fā)生器、撞擊式壓電噴射閥、高精度電子秤和顯微鏡實驗?zāi)康模和ㄟ^功率放大器驅(qū)動壓電噴射系統(tǒng),驗證撞擊式壓電噴射閥在不同控制策略下膠點質(zhì)量、氣泡含量等點膠性能。實驗過程:為了評估膠粘劑在不同控制策略下的分配性能,包括液滴體積和氣泡含量,本研究構(gòu)建了撞擊式壓電噴射系統(tǒng)的新控制策略實驗平臺,如圖5.9所示。該平臺包括控制
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分享8款100w功放電路圖

  • 01D類100w功放電路介紹一款采用普通元件制作的D類100W功放電路,供廣大音響爰好者參考。電路如圖1所示。元件選擇要點:Ic1選用雙D觸發(fā)器CD4013。IC2選用高速MOSFET驅(qū)動電路TC4426,該芯片在4.5V~18V供電范圍內(nèi)均能穩(wěn)定地工作,其輸出驅(qū)動電流高達1.5A,而輸出阻抗只有7Ω(內(nèi)部電路如圖2所示),因此是驅(qū)動數(shù)字功放中MOSFET功放管的理想器件。輸出管選用NMOS場效應(yīng)管IRFP140(100V,30A,150W)。D1、D2選用高速肖特基二極管MBR150,如果買不到MBR1
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功放的ABCD類

  • 1、純Class A(甲類)功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器(Class A),它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時,晶體管的正負通道不論有或沒有信號都處于常開狀態(tài),這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應(yīng)用中比較少見,像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類功率放大器。這是因為純甲類功率放大器的效率非常低,通常只有20-30%,音響發(fā)燒友們對它的聲音表現(xiàn)津津樂道。小信號放大器主要包括:共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器,如果這種小信號放
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如何測量功率放大器性能?為什么EVM和ACPR很重要?一篇文章帶你了解功率放大器測量

  • G應(yīng)用帶來了通信技術(shù)的革命性變革,在無線通信系統(tǒng)中,功率放大器(Power Amplifier, 簡稱PA)占據(jù)傳輸鏈的最后一級,為天線提供所需的射頻功率,是通信系統(tǒng)中射頻鏈路質(zhì)量的重要貢獻者。如圖1所示。功率放大器(PA)是5G發(fā)射機傳輸質(zhì)量和電池壽命的關(guān)鍵決定因素。? 圖1 典型通信射頻傳輸鏈路在很多表征功率放大器性能的指標中,誤差矢量幅度(EVM)和鄰道功率比(ACPR)是最為關(guān)鍵的,EVM和ACPR指標可以量化功率放大器的非線性性能。通常使用EVM作為帶內(nèi)失真的考量,而ACPR則用來衡量帶外特性。
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預(yù)補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲

  • 1 ?摘要如今,Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。?然而,在放大器啟動或關(guān)閉時,以及在靜音 / 取消靜音??切換期間,揚聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點擊聲。這些 ?噪音可能會被聽到,并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中???靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的??有效方法。此外,音頻系統(tǒng)有時播放音樂,有時停止播 ?放,這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此,爆裂 ?聲是頻
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推挽式B類功率放大器的基本原理

  • 了解推挽式B類放大器的工作原理,如何計算其效率,以及其性能與電感性負載A類設(shè)計的比較。正如我們在上一篇文章中所討論的,單晶體管B類放大器(圖1)使用高Q諧振電路作為負載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路,輸出電壓僅包含基波分量,使放大器能夠忠實地再現(xiàn)輸入信號。通過短接諧波分量,高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波,盡管集電極電流是半波整流的正弦波。 單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1:單晶體管B類RF放大器。除了使用高Q電容器,我們還可以通過迫使兩個半正弦波脈沖以相反方向通過負載來消除B
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B類功率放大器介紹

  • B類功率放大器是如何工作的?是什么讓它比A類功率放大器更高效?在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器(PA)在許多應(yīng)用中都至關(guān)重要,從手持通信設(shè)備到大型有源元件相控陣天線。例如,在上述手持設(shè)備中,更高的效率意味著更低的功耗,從而可以延長通話時間。我們在之前的文章中了解到,電感性負載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器,其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后,我們將探討效率差異的原因。請注意,本文中使用的分析表達式是近似的,因為它們涉及大信號和強非線性,
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電感負載A類功率放大器簡介

  • 了解電感負載共射極級如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負載共發(fā)射極電路作為功率放大器(PA)的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中,我們了解到,通過使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負載,可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中,我們將更全面地研究電感性負載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負載共射極配置開始我們的研究。電感負載共射極放大器的電路圖。 圖1:電感負載共射極放大器的簡單版本您可能已經(jīng)注意到,圖1看起來與我們上次介紹的電感負載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同,該電路缺少
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A類功率放大器簡介:共發(fā)射極PA

  • 射頻放大器設(shè)計是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù),涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權(quán)衡。在這里,我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號放大器,它通常設(shè)計用于增益和線性,而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗,則小信號放大器可能會提供特定的電壓或電流增益,而不會向?qū)嶋H負載傳輸任何明顯的功率。由于小信號放大器不處理高功率電平,因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設(shè)計要求。在接下來的幾篇文章中,我們將討論一些截然不同的內(nèi)容:射頻功率放大器。功率放大器(PA)出現(xiàn)在
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車載功放輻射發(fā)射案例分析

  • 車載功放輻射發(fā)射案例評論:此案例應(yīng)該指出PCB板與金屬外殼的連接方式(是否連接,怎么連接)。以分析騷擾路徑。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案

  • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù),有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性;但它的性能在許多應(yīng)用中是獨特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語——但今天,有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

  • 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

  • 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
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100W MOSFET功率放大器電路

  • 我們設(shè)計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅(qū)動約 8 歐姆的負載。 所設(shè)計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理:該電路采用多級功率放大原理,包括前置放大器、驅(qū)動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅(qū)動級是帶有電流鏡負載的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅(qū)動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
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功率放大器介紹

功率放大器簡介  利用三極管的電流控制作用或場效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波,即交流信號電流,三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍,β是三極管的交流放大倍數(shù),應(yīng)用這一點,若將小信號注入基極,則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍,然后將這個信號用隔直電容隔離出來,就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號,這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細 ]
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