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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

  • 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

  • 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術(shù)，可為在低光或無光環(huán)境中運行的應(yīng)用提供新的可能性，同時降低總功耗
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意法半導(dǎo)體為MCU開啟FD-SOI時代

  • 意法半導(dǎo)體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術(shù)應(yīng)用在通用32位MCU市場領(lǐng)先的STM32系列MCU產(chǎn)品。
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SOI芯片熱潮再起，中國市場信心大增

  • 受到美國政府的干擾，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進制程工藝演進到 10nm 時，當時昂貴的價格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實際應(yīng)用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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意法半導(dǎo)體車規(guī)電源管理IC集成CAN FD和LIN收發(fā)器

  • 意法半導(dǎo)體的SPSB081車規(guī)電源管理IC?的功能非常豐富，堪稱車規(guī)電源管理芯片中的瑞士軍刀，片上集成一個固定電壓的主低壓差穩(wěn)壓器?(LDO)、一個可配置的輔助?LDO穩(wěn)壓器、四個高邊驅(qū)動器、一個?CAN FD?收發(fā)器和一個選配LIN?收發(fā)器。該系列電源管理芯片有多個靜態(tài)電流很小的待機模式和可配置的本地或遠程喚醒功能，有助于最大限度地降低系統(tǒng)功耗。片上集成的電源和收發(fā)器有助于簡化車身控制器設(shè)計，適用于天窗、座椅、尾門、車門和照明模塊。這些控制器的
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電路筆記CN-0401

  • Circuits from the Lab?參考設(shè)計是經(jīng)過測試的參考設(shè)計，有助于加速設(shè)計，同時簡化系統(tǒng)集成，幫助解決當今的模擬、混合信號和RF設(shè)計挑戰(zhàn)。如需更多信息和/或技術(shù)支持，請訪問：www.analog.com/CN0401。連接/參考器件ADM3055E5 ? kV rms信號和電源隔離CAN收發(fā)器，適用于CAN FD具有可切換端接和遠程喚醒功能的隔離信號和電源CAN FD評估和設(shè)計支持電路評估板CN-0401電路評估板(EVAL-ADM3055E-ARDZ)超低功耗Arduino尺寸開
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解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動智能功率器件創(chuàng)新

  • 混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設(shè)計如今廣受關(guān)注，一個重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于更常見的內(nèi)燃機汽車。汽車應(yīng)用 48V 電網(wǎng)48V 系統(tǒng)有何獨特之處？與在常規(guī)的供電條件下一樣，48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎(chǔ)物理學規(guī)律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結(jié)合，但電勢差（損耗）隨電流
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

  • 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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攻克復(fù)雜性障礙：下一代 SOI 天線調(diào)諧

  • 過去十年，天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計靈活性，并大幅改善了性能。復(fù)雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產(chǎn)品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設(shè)備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設(shè)備使得天線更加復(fù)雜。對于工程師而言，這種復(fù)雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術(shù)開發(fā)工程師每推出一代新技術(shù)，都會做出漸進式改進，通過這種持續(xù)改善來幫
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大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)攝像機(IPC)方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò)攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動了智能監(jiān)控技術(shù)的革新，也驅(qū)動了IPC（網(wǎng)絡(luò)攝像機）的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網(wǎng)絡(luò)輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
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意法半導(dǎo)體CAN FD Light多像素驅(qū)動器助力下一代汽車照明設(shè)計

  • 意法半導(dǎo)體的L99LDLH32線性穩(wěn)流器為使用輕量級?CAN FD Light 協(xié)議控制動態(tài)汽車照明提供了一個簡便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發(fā)射明亮、均勻和高對比度的光線，新驅(qū)動器與OLED完美匹配，讓設(shè)計師能夠創(chuàng)造復(fù)雜的圖案和光效，增強汽車的安全性和外觀設(shè)計視覺效果。L99LDLH32有32個可在1mA至15mA范圍內(nèi)獨立編程的穩(wěn)流電源，可以單獨驅(qū)動車內(nèi)外燈具的每個像素，還提供8 位分辨率的整體調(diào)光功能。當用車輛電池電壓供電時，驅(qū)動器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發(fā)射極正向
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ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

  • 意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
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瑞薩電子推出5V高性能RX660 32位MCU，為家電和工業(yè)應(yīng)用提供卓越的噪聲容限

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產(chǎn)品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產(chǎn)品群。新產(chǎn)品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業(yè)設(shè)備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產(chǎn)品中首個支持5V的器件，也是RX產(chǎn)品家族中首款內(nèi)置CAN FD控制器的器件，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶能夠減少開發(fā)時間與元件成本，提高系統(tǒng)質(zhì)量。近年來，由于功能安
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意法半導(dǎo)體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠，推進 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)

  • ·????? 隨著世界經(jīng)濟向數(shù)字化和脫碳轉(zhuǎn)型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導(dǎo)體針對汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用開發(fā)的節(jié)點低至18納米的全面技術(shù)·????? 預(yù)計該項合作投資金額達數(shù)十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
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