cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計(jì)算未來
- ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。 此款測試芯片的成功驗(yàn)證(設(shè)計(jì)定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進(jìn)的
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華人胡正明獲美國最高科技獎：FinFET發(fā)明人
- 據(jù)中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r間2016年5月19日，美國總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項(xiàng)獲得者頒獎，包括9名國家科學(xué)獎獲得者和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺灣大學(xué)。 她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進(jìn)口石油的依賴。 另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道
- 在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動，還由支援平臺的進(jìn)步所推動，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì)，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測器很有幫助?！ ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性
- 在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！ ∫?、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！ ?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等?！ ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?！ 《?、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
- 關(guān)鍵字： 電磁兼容 CMOS
FD-SOI會是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。 “我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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模擬IC與數(shù)字IC異同
- 處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數(shù)字信號的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
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中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標(biāo)題，我會確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認(rèn)為那 些題目不關(guān)他們
- 關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題?！ MOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法： 與門和與非門電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動頻帶有限的揚(yáng)聲器時頻率
- 關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS
對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)
- 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
- 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
什么是TTL電平、CMOS電平？兩者的區(qū)別
- TTL電平信號對于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！ ∈裁词荰TL電平 TTL電平信號被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！ TL電平信號對于計(jì)算機(jī)處理器控制
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
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